Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Integraallülitused (IC) > Mälu > EDB4432BBBJ-1DAIT-F-D
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1680932

EDB4432BBBJ-1DAIT-F-D

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
2100+
$11.754
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    EDB4432BBBJ-1DAIT-F-D
  • Tootja / bränd
    Micron Technology
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    EDB4432BBBJ-1DAIT-F-D.pdf
  • Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg
    -
  • Pinge - varustus
    1.14 V ~ 1.95 V
  • Tehnoloogia
    SDRAM - Mobile LPDDR2
  • Pakkuja seadme pakett
    134-FBGA (10x11.5)
  • Seeria
    -
  • Pakend
    Tray
  • Pakett / kott
    134-WFBGA
  • Töötemperatuur
    -40°C ~ 85°C (TC)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Mälu tüüp
    Volatile
  • Mälu suurus
    4Gb (128M x 32)
  • Mäluliides
    Parallel
  • Mäluportaal
    DRAM
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Täpsem kirjeldus
    SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 4Gb (128M x 32) Parallel 533MHz 134-FBGA (10x11.5)
  • Kellade sagedus
    533MHz

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "EDB4432BBBJ-1DAIT-F-D" seotud tooted.
EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR

EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
EDB4416BBBH-1DIT-F-D

EDB4416BBBH-1DIT-F-D

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
EDB4432BBBH-1D-F-D

EDB4432BBBH-1D-F-D

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
EDB4416BBBH-1DIT-F-R TR

EDB4416BBBH-1DIT-F-R TR

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
EDB4432BBBH-1D-F-R TR

EDB4432BBBH-1D-F-R TR

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
EDB4416BBBH-1DIT-F-R

EDB4416BBBH-1DIT-F-R

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D

EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
EDB4432BBBJ-1D-F-R

EDB4432BBBJ-1D-F-R

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
EDB5432BEBH-1DAUT-F-D

EDB5432BEBH-1DAUT-F-D

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
EDB4432BBBJ-1D-F-D

EDB4432BBBJ-1D-F-D

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
EDB4432BBPA-1D-F-R TR

EDB4432BBPA-1D-F-R TR

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 168FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
EDB4432BBPA-1D-F-D

EDB4432BBPA-1D-F-D

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 168FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
EDB5432BEBH-1DAAT-F-D

EDB5432BEBH-1DAAT-F-D

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
EDB4064B4PB-1DIT-F-R TR

EDB4064B4PB-1DIT-F-R TR

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 216WFBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
EDB4432BBBJ-1DAIT-F-R TR

EDB4432BBBJ-1DAIT-F-R TR

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
EDB4432BBPE-1D-F-D

EDB4432BBPE-1D-F-D

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
EDB4432BBBJ-1DAUT-F-D

EDB4432BBBJ-1DAUT-F-D

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
EDB5432BEBH-1DAUT-F-R TR

EDB5432BEBH-1DAUT-F-R TR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR

EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
EDB4432BBBJ-1DAUT-F-R TR

EDB4432BBBJ-1DAUT-F-R TR

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.