Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Integreeritud vooluringid (IC) > Mälu > MT29F2G01ABAGD12-AAT:G
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
4901895

MT29F2G01ABAGD12-AAT:G

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1122+
$5.583
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    MT29F2G01ABAGD12-AAT:G
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC FLASH 2G SPI 83MHZ TBGA
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg
    -
  • Pinge - varustus
    2.7 V ~ 3.6 V
  • Tehnoloogia
    FLASH - NAND
  • Seeria
    -
  • Töötemperatuur
    -40°C ~ 105°C (TC)
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Mälu tüüp
    Non-Volatile
  • Mälu suurus
    2Gb (2G x 1)
  • Mäluliides
    SPI
  • Mäluportaal
    FLASH
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Täpsem kirjeldus
    FLASH - NAND Memory IC 2Gb (2G x 1) SPI 83MHz
  • Kellade sagedus
    83MHz
MT29F2G01ABAGDM79A3WC1

MT29F2G01ABAGDM79A3WC1

Kirjeldus: SLC 2G DIE 2GX1

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29F256G08EFEBBWP-M:B TR

MT29F256G08EFEBBWP-M:B TR

Kirjeldus: IC FLASH 256G PARALLEL 48TSOP

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29F256G08EFEBBWP:B TR

MT29F256G08EFEBBWP:B TR

Kirjeldus: IC FLASH 256G PARALLEL 48TSOP

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29F256G08EFEBBWP:B

MT29F256G08EFEBBWP:B

Kirjeldus: IC FLASH 256G PARALLEL 48TSOP

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29F2G01ABAGDSF-AAT:G TR

MT29F2G01ABAGDSF-AAT:G TR

Kirjeldus: IC FLASH 2G SPI SOIC

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29F2G01AAAEDH4-ITX:E TR

MT29F2G01AAAEDH4-ITX:E TR

Kirjeldus: IC FLASH 2G SPI 63VFBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29F2G01ABAGD12-IT:G TR

MT29F2G01ABAGD12-IT:G TR

Kirjeldus: IC FLASH 2G SPI 83MHZ TBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29F2G01ABAGD12-IT:G

MT29F2G01ABAGD12-IT:G

Kirjeldus: IC FLASH 2G SPI 83MHZ TBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29F2G01AAAEDH4-IT:E

MT29F2G01AAAEDH4-IT:E

Kirjeldus: IC FLASH 2G SPI 63VFBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29F2G01AAAEDH4-IT:E TR

MT29F2G01AAAEDH4-IT:E TR

Kirjeldus: IC FLASH 2G SPI 63VFBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29F2G01ABAGDSF-AAT:G

MT29F2G01ABAGDSF-AAT:G

Kirjeldus: IC FLASH 2G SPI SOIC

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29F2G01AAAEDH4-ITX:E

MT29F2G01AAAEDH4-ITX:E

Kirjeldus: IC FLASH 2G SPI 63VFBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29F256G08EFCDBWP-10M:D TR

MT29F256G08EFCDBWP-10M:D TR

Kirjeldus: IC FLASH 256G PARALLEL 100MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29F2G01ABAGDSF-IT:G TR

MT29F2G01ABAGDSF-IT:G TR

Kirjeldus: IC FLASH 2G SPI 16SOP

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29F2G01ABAGD12-AAT:G TR

MT29F2G01ABAGD12-AAT:G TR

Kirjeldus: IC FLASH 2G SPI 83MHZ TBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29F2G01ABAGDSF-IT:G

MT29F2G01ABAGDSF-IT:G

Kirjeldus: IC FLASH 2G SPI SOIC

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29F2G01ABAGDWB-IT:G TR

MT29F2G01ABAGDWB-IT:G TR

Kirjeldus: IC FLASH 2G SPI 8UPDFN

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29F2G01AAAEDH4:E

MT29F2G01AAAEDH4:E

Kirjeldus: IC FLASH 2G SPI 63VFBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29F2G01ABAGDWB-IT:G

MT29F2G01ABAGDWB-IT:G

Kirjeldus: IC FLASH 2G SPI UPDFN

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29F2G01AAAEDH4:E TR

MT29F2G01AAAEDH4:E TR

Kirjeldus: IC FLASH 2G SPI 63VFBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi