Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Integraallülitused (IC) > Mälu > MT29F4G08ABBEAH4:E
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
2668202

MT29F4G08ABBEAH4:E

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1260+
$4.668
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    MT29F4G08ABBEAH4:E
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg
    -
  • Pinge - varustus
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Tehnoloogia
    FLASH - NAND
  • Pakkuja seadme pakett
    63-VFBGA (9x11)
  • Seeria
    -
  • Pakend
    Bulk
  • Pakett / kott
    63-VFBGA
  • Töötemperatuur
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Mälu tüüp
    Non-Volatile
  • Mälu suurus
    4Gb (512M x 8)
  • Mäluliides
    Parallel
  • Mäluportaal
    FLASH
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Täpsem kirjeldus
    FLASH - NAND Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 63-VFBGA (9x11)
  • Baasosa number
    MT29F4G08
MT29F4G08ABBDAHC:D

MT29F4G08ABBDAHC:D

Kirjeldus: IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29F4G08ABBEAH4:E TR

MT29F4G08ABBEAH4:E TR

Kirjeldus: IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29F4G08ABBDAHC-IT:D TR

MT29F4G08ABBDAHC-IT:D TR

Kirjeldus: IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29F4G08ABBEAM70M3WC1

MT29F4G08ABBEAM70M3WC1

Kirjeldus: IC FLASH 4G PARALLEL WAFER

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29F4G08ABBDAHC-AIT:D TR

MT29F4G08ABBDAHC-AIT:D TR

Kirjeldus: IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29F4G08ABBFAH4-AATES:F

MT29F4G08ABBFAH4-AATES:F

Kirjeldus: IC FLASH 4G PARALLEL FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29F4G08ABBDAHC-AIT:D

MT29F4G08ABBDAHC-AIT:D

Kirjeldus: IC FLASH 4G PARALLEL FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29F4G08ABCWC:C TR

MT29F4G08ABCWC:C TR

Kirjeldus: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29F4G08ABCWC-ET:C TR

MT29F4G08ABCWC-ET:C TR

Kirjeldus: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29F4G08ABCWC:C

MT29F4G08ABCWC:C

Kirjeldus: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29F4G08ABBDAHC-IT:D

MT29F4G08ABBDAHC-IT:D

Kirjeldus: IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29F4G08ABBEAH4-IT:E

MT29F4G08ABBEAH4-IT:E

Kirjeldus: IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29F4G08ABCHC:C TR

MT29F4G08ABCHC:C TR

Kirjeldus: IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29F4G08BABWP TR

MT29F4G08BABWP TR

Kirjeldus: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29F4G08ABBDAHC:D TR

MT29F4G08ABBDAHC:D TR

Kirjeldus: IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29F4G08ABBDAM60A3WC1

MT29F4G08ABBDAM60A3WC1

Kirjeldus: SLC 4G DIE 512MX8

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29F4G08ABBFAH4-AATES:F TR

MT29F4G08ABBFAH4-AATES:F TR

Kirjeldus: IC FLASH 4G PARALLEL FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29F4G08ABCHC-ET:C TR

MT29F4G08ABCHC-ET:C TR

Kirjeldus: IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29F4G08ABBDAM60A3WC1 TR

MT29F4G08ABBDAM60A3WC1 TR

Kirjeldus: SLC 4G DIE 512MX8

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29F4G08ABBEAH4-IT:E TR

MT29F4G08ABBEAH4-IT:E TR

Kirjeldus: IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi