Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Integraallülitused (IC) > Mälu > MT29F4T08EYHBBG9-3RES:B TR
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
4275651

MT29F4T08EYHBBG9-3RES:B TR

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1000+
$199.783
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    MT29F4T08EYHBBG9-3RES:B TR
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg
    -
  • Pinge - varustus
    2.5 V ~ 3.6 V
  • Tehnoloogia
    FLASH - NAND
  • Seeria
    -
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Muud nimed
    MT29F4T08EYHBBG9-3RES:B TR-ND
    MT29F4T08EYHBBG9-3RES:BTR
  • Töötemperatuur
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Mälu tüüp
    Non-Volatile
  • Mälu suurus
    4Tb (512G x 8)
  • Mäluliides
    Parallel
  • Mäluportaal
    FLASH
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Täpsem kirjeldus
    FLASH - NAND Memory IC 4Tb (512G x 8) Parallel 333MHz
  • Kellade sagedus
    333MHz
MT29F512G08AUEBBK8-12:B TR

MT29F512G08AUEBBK8-12:B TR

Kirjeldus: IC FLASH 512G PARALLEL 83MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29F512G08CECBBJ4-37:B

MT29F512G08CECBBJ4-37:B

Kirjeldus: IC FLASH 512G PARALLEL 267MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29F512G08AUCBBH8-6IT:B TR

MT29F512G08AUCBBH8-6IT:B TR

Kirjeldus: IC FLASH 512G PARALLEL 166MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29F4T08CTHBBM5-3R:B TR

MT29F4T08CTHBBM5-3R:B TR

Kirjeldus: IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29F512G08AUEBBH8-12:B

MT29F512G08AUEBBH8-12:B

Kirjeldus: IC FLASH 512G PARALLEL 83MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29F4T08CTHBBM5-3C:BTR

MT29F4T08CTHBBM5-3C:BTR

Kirjeldus: IC FLASH

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29F512G08AUCBBK8-6:B TR

MT29F512G08AUCBBK8-6:B TR

Kirjeldus: IC FLASH 512G PARALLEL 166MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29F4T08CTHBBM5-3R:B

MT29F4T08CTHBBM5-3R:B

Kirjeldus: IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29F4T08EYHBBG9-3R:B TR

MT29F4T08EYHBBG9-3R:B TR

Kirjeldus: IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29F512G08CECBBJ4-37ES:B TR

MT29F512G08CECBBJ4-37ES:B TR

Kirjeldus: IC FLASH 512G PARALLEL 267MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29F4T08EYCBBG9-37:B TR

MT29F4T08EYCBBG9-37:B TR

Kirjeldus: IC FLASH 4T PARALLEL 267MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29F4T08CTHBBM5-3RES:B TR

MT29F4T08CTHBBM5-3RES:B TR

Kirjeldus: IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29F4T08EYCBBG9-37ES:B TR

MT29F4T08EYCBBG9-37ES:B TR

Kirjeldus: IC FLASH 4T PARALLEL 267MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29F512G08AUCBBH8-6:B TR

MT29F512G08AUCBBH8-6:B TR

Kirjeldus: IC FLASH 512G PARALLEL 166MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29F512G08AUCBBH8-6IT:B

MT29F512G08AUCBBH8-6IT:B

Kirjeldus: IC FLASH 512G PARALLEL 166MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29F512G08CECBBJ4-37:B TR

MT29F512G08CECBBJ4-37:B TR

Kirjeldus: IC FLASH 512G PARALLEL 267MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29F4T08EUHAFM4-3T:A

MT29F4T08EUHAFM4-3T:A

Kirjeldus: IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29F4T08CTHBBM5-3C:B

MT29F4T08CTHBBM5-3C:B

Kirjeldus: IC FLASH

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29F512G08AUEBBH8-12:B TR

MT29F512G08AUEBBH8-12:B TR

Kirjeldus: IC FLASH 512G PARALLEL 83MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29F4T08EUHAFM4-3T:A TR

MT29F4T08EUHAFM4-3T:A TR

Kirjeldus: IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi