Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Integraallülitused (IC) > Mälu > MT29F512G08CKCCBH7-6R:C
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5075817

MT29F512G08CKCCBH7-6R:C

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1960+
$65.44
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    MT29F512G08CKCCBH7-6R:C
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC FLASH 512G PARALLEL 166MHZ
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg
    -
  • Pinge - varustus
    2.7 V ~ 3.6 V
  • Tehnoloogia
    FLASH - NAND
  • Seeria
    -
  • Töötemperatuur
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Mälu tüüp
    Non-Volatile
  • Mälu suurus
    512Gb (64G x 8)
  • Mäluliides
    Parallel
  • Mäluportaal
    FLASH
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Täpsem kirjeldus
    FLASH - NAND Memory IC 512Gb (64G x 8) Parallel 166MHz
  • Kellade sagedus
    166MHz
MT29F512G08CKEABH7-12IT:A TR

MT29F512G08CKEABH7-12IT:A TR

Kirjeldus: IC FLASH 512G PARALLEL 83MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29F512G08CLCCBG1-6R:C

MT29F512G08CLCCBG1-6R:C

Kirjeldus: IC FLASH 512G PARALLEL 166MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29F512G08CKCABH7-6:A TR

MT29F512G08CKCABH7-6:A TR

Kirjeldus: IC FLASH 512G PARALLEL 166MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29F512G08CKCCBH7-6R:C TR

MT29F512G08CKCCBH7-6R:C TR

Kirjeldus: IC FLASH 512G PARALLEL 166MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29F512G08CMCABH7-6:A

MT29F512G08CMCABH7-6:A

Kirjeldus: IC FLASH 512G PARALLEL 152TBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29F512G08CKECBH7-12:C TR

MT29F512G08CKECBH7-12:C TR

Kirjeldus: IC FLASH 512G PARALLEL 83MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29F512G08CKECBH7-12:C

MT29F512G08CKECBH7-12:C

Kirjeldus: IC FLASH 512G PARALLEL 83MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29F512G08CKCABH7-6:A

MT29F512G08CKCABH7-6:A

Kirjeldus: IC FLASH 512G PARALLEL 166MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29F512G08CMCABH7-6R:A

MT29F512G08CMCABH7-6R:A

Kirjeldus: IC FLASH 512G PARALLEL 152TBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29F512G08CKCABH7-6R:A

MT29F512G08CKCABH7-6R:A

Kirjeldus: IC FLASH 512G PARALLEL 166MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29F512G08CKCABK7-6:A TR

MT29F512G08CKCABK7-6:A TR

Kirjeldus: IC FLASH 512G PARALLEL 166MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29F512G08CMCABH7-6C:A

MT29F512G08CMCABH7-6C:A

Kirjeldus: IC FLASH 512G PARALLEL 152TBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29F512G08CKCBBH7-6C:B

MT29F512G08CKCBBH7-6C:B

Kirjeldus: IC FLASH 512G PARALLEL 166MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29F512G08CKCBBH7-6ITC:B

MT29F512G08CKCBBH7-6ITC:B

Kirjeldus: IC FLASH 512G PARALLEL 166MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29F512G08CMCABH7-6:A TR

MT29F512G08CMCABH7-6:A TR

Kirjeldus: IC FLASH 512G PARALLEL 152TBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29F512G08CFCBBWP-10M:B

MT29F512G08CFCBBWP-10M:B

Kirjeldus: MLC 512G 64GX8 TSOP DDP

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29F512G08CKCABK7-6:A

MT29F512G08CKCABK7-6:A

Kirjeldus: IC FLASH 512G PARALLEL 166MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29F512G08CFCBBWP-10M:B TR

MT29F512G08CFCBBWP-10M:B TR

Kirjeldus: IC FLASH 512G PARALLEL 100MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR

MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR

Kirjeldus: IC FLASH 512G PARALLEL 166MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29F512G08CMCABK7-6:A

MT29F512G08CMCABK7-6:A

Kirjeldus: IC FLASH 512G PARALLEL 166MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi