Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Integraallülitused (IC) > Mälu > MT29F512G08EMCBBJ5-10:B TR
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1491268

MT29F512G08EMCBBJ5-10:B TR

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1000+
$33.092
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    MT29F512G08EMCBBJ5-10:B TR
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC FLASH 512G PARALLEL 100MHZ
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg
    -
  • Pinge - varustus
    2.7 V ~ 3.6 V
  • Tehnoloogia
    FLASH - NAND
  • Seeria
    -
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Muud nimed
    MT29F512G08EMCBBJ5-10:B TR-ND
    MT29F512G08EMCBBJ5-10:BTR
  • Töötemperatuur
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Mälu tüüp
    Non-Volatile
  • Mälu suurus
    512Gb (64G x 8)
  • Mäluliides
    Parallel
  • Mäluportaal
    FLASH
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Täpsem kirjeldus
    FLASH - NAND Memory IC 512Gb (64G x 8) Parallel 100MHz
  • Kellade sagedus
    100MHz
MT29F512G08EECAGJ4-5M:A

MT29F512G08EECAGJ4-5M:A

Kirjeldus: TLC 512G 64GX8 VBGA DDP

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29F512G08EMCBBJ5-10ES:B TR

MT29F512G08EMCBBJ5-10ES:B TR

Kirjeldus: IC FLASH 512G PARALLEL 100MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29F512G08EKCBBJ5-6:B

MT29F512G08EKCBBJ5-6:B

Kirjeldus: NAND FLASH

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29F512G08CUEDBJ6-12IT:D TR

MT29F512G08CUEDBJ6-12IT:D TR

Kirjeldus: IC FLASH 512G PARALLEL 83MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29F512G08ELCDBG7-37ES:D TR

MT29F512G08ELCDBG7-37ES:D TR

Kirjeldus: IC FLASH 512G PARALLEL 267MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29F64G08ABEBBM84C3WC1

MT29F64G08ABEBBM84C3WC1

Kirjeldus: SLC 64G DIE 8GX8

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29F512G08EEHAFJ4-3RES:A

MT29F512G08EEHAFJ4-3RES:A

Kirjeldus: IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29F512G08EMCBBJ5-6:B

MT29F512G08EMCBBJ5-6:B

Kirjeldus: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29F64G08AEAAAC5-IT:A

MT29F64G08AEAAAC5-IT:A

Kirjeldus: IC FLASH 64G PARALLEL 52VLGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29F512G08EECAGJ4-5M:A TR

MT29F512G08EECAGJ4-5M:A TR

Kirjeldus: TLC 512G 64GX8 VBGA DDP

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29F64G08ABEBBH6-12:B TR

MT29F64G08ABEBBH6-12:B TR

Kirjeldus: IC FLASH 64G PARALLEL 83MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29F64G08ABCBBH6-6:B TR

MT29F64G08ABCBBH6-6:B TR

Kirjeldus: IC FLASH 64G PARALLEL 167MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29F512G08EEHAFJ4-3RES:A TR

MT29F512G08EEHAFJ4-3RES:A TR

Kirjeldus: IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29F64G08ABEBBH6-12:B

MT29F64G08ABEBBH6-12:B

Kirjeldus: IC FLASH 64G PARALLEL 83MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29F64G08ABCBBH6-6IT:B TR

MT29F64G08ABCBBH6-6IT:B TR

Kirjeldus: IC FLASH 64G PARALLEL 167MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29F512G08EEHAFJ4-3R:A TR

MT29F512G08EEHAFJ4-3R:A TR

Kirjeldus: IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29F512G08EMCBBJ5-10:B

MT29F512G08EMCBBJ5-10:B

Kirjeldus: IC FLASH 512G PARALLEL 100MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29F64G08ABCBBH6-6IT:B

MT29F64G08ABCBBH6-6IT:B

Kirjeldus: IC FLASH 64G PARALLEL 167MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29F512G08EMCBBJ5-6:B.001

MT29F512G08EMCBBJ5-6:B.001

Kirjeldus: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29F512G08EEHAFJ4-3R:A

MT29F512G08EEHAFJ4-3R:A

Kirjeldus: IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi