Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Integraallülitused (IC) > Mälu > MT40A1G8WE-083E:B TR
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6170943MT40A1G8WE-083E:B TR piltMicron Technology

MT40A1G8WE-083E:B TR

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
2000+
$15.309
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    MT40A1G8WE-083E:B TR
  • Tootja / bränd
    Micron Technology
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    MT40A1G8WE-083E:B TR.pdf
  • Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg
    -
  • Pinge - varustus
    1.14 V ~ 1.26 V
  • Tehnoloogia
    SDRAM - DDR4
  • Pakkuja seadme pakett
    78-FBGA (8x12)
  • Seeria
    -
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    78-TFBGA
  • Muud nimed
    557-1727-2
    MT40A1G8WE-083E:B TR-ND
  • Töötemperatuur
    0°C ~ 95°C (TC)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Mälu tüüp
    Volatile
  • Mälu suurus
    8Gb (1G x 8)
  • Mäluliides
    Parallel
  • Mäluportaal
    DRAM
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Täpsem kirjeldus
    SDRAM - DDR4 Memory IC 8Gb (1G x 8) Parallel 1.2GHz 78-FBGA (8x12)
  • Kellade sagedus
    1.2GHz

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "MT40A1G8WE-083E:B TR" seotud tooted.
MT40A1G8WE-083E AUT:B

MT40A1G8WE-083E AUT:B

Kirjeldus: IC DRAM 8G PARALLEL 1.2GHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
MT40A256M16GE-075E AIT:B

MT40A256M16GE-075E AIT:B

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
MT40A1G8WE-075E:D TR

MT40A1G8WE-075E:D TR

Kirjeldus: IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
MT40A1G8WE-083E AIT:B TR

MT40A1G8WE-083E AIT:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
MT40A1G8WE-083E AAT:B TR

MT40A1G8WE-083E AAT:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
MT40A1G8WE-075E:B TR

MT40A1G8WE-075E:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
MT40A1G8WE-083E AUT:B TR

MT40A1G8WE-083E AUT:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
MT40A1G8WE-083E AAT:B

MT40A1G8WE-083E AAT:B

Kirjeldus: IC DRAM 8G PARALLEL 1.2GHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
MT40A256M16GE-062E IT:B TR

MT40A256M16GE-062E IT:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
MT40A256M16GE-075E AUT:B

MT40A256M16GE-075E AUT:B

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
MT40A256M16GE-075E AAT:B TR

MT40A256M16GE-075E AAT:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
MT40A256M16GE-062E:B

MT40A256M16GE-062E:B

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
MT40A1G8WE-083E AIT:B

MT40A1G8WE-083E AIT:B

Kirjeldus: IC DRAM 8G PARALLEL 1.2GHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
MT40A1G8Z01AWC1

MT40A1G8Z01AWC1

Kirjeldus: DDR4 8G DIE 1GX8

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
MT40A1G8WE-083E IT:B TR

MT40A1G8WE-083E IT:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
MT40A1G8WE-075E:D

MT40A1G8WE-075E:D

Kirjeldus: IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
MT40A256M16GE-075E AAT:B

MT40A256M16GE-075E AAT:B

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
MT40A256M16GE-062E:B TR

MT40A256M16GE-062E:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
MT40A256M16GE-075E AIT:B TR

MT40A256M16GE-075E AIT:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
MT40A256M16GE-062E IT:B

MT40A256M16GE-062E IT:B

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 1.6GHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.