Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Integraallülitused (IC) > Mälu > MT40A256M16GE-083E AAT:B TR
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1310970

MT40A256M16GE-083E AAT:B TR

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
2000+
$16.048
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    MT40A256M16GE-083E AAT:B TR
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
  • Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg
    -
  • Pinge - varustus
    1.14 V ~ 1.26 V
  • Tehnoloogia
    SDRAM - DDR4
  • Seeria
    -
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Muud nimed
    MT40A256M16GE-083E AAT:B TR-ND
    MT40A256M16GE-083EAAT:BTR
  • Töötemperatuur
    -40°C ~ 105°C (TC)
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Mälu tüüp
    Volatile
  • Mälu suurus
    4Gb (256M x 16)
  • Mäluliides
    Parallel
  • Mäluportaal
    DRAM
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Täpsem kirjeldus
    SDRAM - DDR4 Memory IC 4Gb (256M x 16) Parallel 1.2GHz
  • Kellade sagedus
    1.2GHz
MT40A256M16GE-083E AIT:B

MT40A256M16GE-083E AIT:B

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A256M16GE-075E AUT:B TR

MT40A256M16GE-075E AUT:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A256M16GE-075E IT:B TR

MT40A256M16GE-075E IT:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A256M16GE-075E AUT:B

MT40A256M16GE-075E AUT:B

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A256M16Z90BWC1

MT40A256M16Z90BWC1

Kirjeldus: DDR4 4G DIE 256MX16

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A2G4SA-062E:E TR

MT40A2G4SA-062E:E TR

Kirjeldus: IC DRAM 8G PARALLEL 1.6GHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A256M16GE-075E AAT:B

MT40A256M16GE-075E AAT:B

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A256M16GE-075E IT:B

MT40A256M16GE-075E IT:B

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A256M16GE-083E AUT:B TR

MT40A256M16GE-083E AUT:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A256M16GE-075E AIT:B TR

MT40A256M16GE-075E AIT:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A256M16GE-083E:B

MT40A256M16GE-083E:B

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A256M16GE-075E:B

MT40A256M16GE-075E:B

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A256M16GE-083E IT:B TR

MT40A256M16GE-083E IT:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A256M16GE-083E AIT:B TR

MT40A256M16GE-083E AIT:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A256M16GE-075E AIT:B

MT40A256M16GE-075E AIT:B

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A256M16GE-083E AAT:B

MT40A256M16GE-083E AAT:B

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A2G4PM-083E:A

MT40A2G4PM-083E:A

Kirjeldus: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A256M16GE-083E AUT:B

MT40A256M16GE-083E AUT:B

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A256M16GE-075E AAT:B TR

MT40A256M16GE-075E AAT:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A2G4SA-062E:E

MT40A2G4SA-062E:E

Kirjeldus: IC DRAM 8G PARALLEL 1.6GHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi