Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Integraallülitused (IC) > Mälu > MT40A512M16LY-075:E TR
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1408240

MT40A512M16LY-075:E TR

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
2000+
$18.954
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    MT40A512M16LY-075:E TR
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
  • Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg
    -
  • Pinge - varustus
    1.14 V ~ 1.26 V
  • Tehnoloogia
    SDRAM - DDR4
  • Seeria
    -
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Muud nimed
    MT40A512M16LY-075:E TR-ND
    MT40A512M16LY-075:ETR
  • Töötemperatuur
    0°C ~ 95°C (TC)
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Mälu tüüp
    Volatile
  • Mälu suurus
    8Gb (512M x 16)
  • Mäluliides
    Parallel
  • Mäluportaal
    DRAM
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Täpsem kirjeldus
    SDRAM - DDR4 Memory IC 8Gb (512M x 16) Parallel 1.33GHz
  • Kellade sagedus
    1.33GHz
MT40A512M16Z01AWC1

MT40A512M16Z01AWC1

Kirjeldus: DDR4 8G DIE 512MX16

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A512M16JY-083E AIT:B TR

MT40A512M16JY-083E AIT:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A512M8HX-093E:A

MT40A512M8HX-093E:A

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A512M16LY-062E IT:E

MT40A512M16LY-062E IT:E

Kirjeldus: IC DRAM 8G PARALLEL 1.6GHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A512M8RH-075E AUT:B

MT40A512M8RH-075E AUT:B

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A512M16LY-062E:E TR

MT40A512M16LY-062E:E TR

Kirjeldus: IC DRAM 8G PARALLEL 1.6GHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A512M16JY-083E IT:B TR

MT40A512M16JY-083E IT:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A512M8RH-075E AIT:B TR

MT40A512M8RH-075E AIT:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A512M16LY-062E:E

MT40A512M16LY-062E:E

Kirjeldus: IC DRAM 8G PARALLEL 1.6GHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A512M8RH-062E:B

MT40A512M8RH-062E:B

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 1.6GHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A512M8RH-075E AIT:B

MT40A512M8RH-075E AIT:B

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A512M8RH-062E:B TR

MT40A512M8RH-062E:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A512M16JY-083E:B TR

MT40A512M16JY-083E:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A512M16LY-075:E

MT40A512M16LY-075:E

Kirjeldus: IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A512M16JY-083E AUT:B TR

MT40A512M16JY-083E AUT:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A512M16LY-062E IT:E TR

MT40A512M16LY-062E IT:E TR

Kirjeldus: IC DRAM 8G PARALLEL 1.6GHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A512M8RH-075E AAT:B TR

MT40A512M8RH-075E AAT:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A512M8HX-083E:A

MT40A512M8HX-083E:A

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A512M8RH-075E AAT:B

MT40A512M8RH-075E AAT:B

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A512M16JY-083E AUT:B

MT40A512M16JY-083E AUT:B

Kirjeldus: IC DRAM 8G PARALLEL 1.2GHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi