Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Integraallülitused (IC) > Mälu > MT41J256M16LY-091G:N
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1294550MT41J256M16LY-091G:N piltMicron Technology

MT41J256M16LY-091G:N

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1080+
$13.01
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    MT41J256M16LY-091G:N
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC DRAM 4G PARALLEL 1GHZ 96FBGA
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
  • Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg
    -
  • Pinge - varustus
    1.425 V ~ 1.575 V
  • Tehnoloogia
    SDRAM - DDR3
  • Pakkuja seadme pakett
    96-FBGA (7.5x13.5)
  • Seeria
    -
  • Pakend
    Tray
  • Pakett / kott
    96-TFBGA
  • Muud nimed
    557-1750
    MT41J256M16LY-091G:N-ND
  • Töötemperatuur
    0°C ~ 95°C (TC)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Mälu tüüp
    Volatile
  • Mälu suurus
    4Gb (256M x 16)
  • Mäluliides
    Parallel
  • Mäluportaal
    DRAM
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Täpsem kirjeldus
    SDRAM - DDR3 Memory IC 4Gb (256M x 16) Parallel 1GHz 96-FBGA (7.5x13.5)
  • Kellade sagedus
    1GHz
MT41J256M8DA-107:K

MT41J256M8DA-107:K

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41J256M16HA-107:E TR

MT41J256M16HA-107:E TR

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41J256M16HA-107:E

MT41J256M16HA-107:E

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41J256M8DA-107:K TR

MT41J256M8DA-107:K TR

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41J256M4HX-15E:D TR

MT41J256M4HX-15E:D TR

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41J256M16LY-091G:N TR

MT41J256M16LY-091G:N TR

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 1GHZ 96FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41J256M4JP-125:G

MT41J256M4JP-125:G

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41J256M16HA-093G:E

MT41J256M16HA-093G:E

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41J256M4JP-15E:G

MT41J256M4JP-15E:G

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41J256M8DA-093:K

MT41J256M8DA-093:K

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41J1G4THD-15E:D

MT41J1G4THD-15E:D

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41J256M16HA-093G:E TR

MT41J256M16HA-093G:E TR

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41J256M16RE-15E IT:D

MT41J256M16RE-15E IT:D

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41J256M8DA-125:K

MT41J256M8DA-125:K

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41J256M16HA-125:E TR

MT41J256M16HA-125:E TR

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41J256M16HA-125:E

MT41J256M16HA-125:E

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41J256M8DA-093:K TR

MT41J256M8DA-093:K TR

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41J256M16HA-093 J:E

MT41J256M16HA-093 J:E

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41J256M16HA-093:E

MT41J256M16HA-093:E

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41J256M16HA-093:E TR

MT41J256M16HA-093:E TR

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi