Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Integraallülitused (IC) > Mälu > MT41J512M4JE-15E:A
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5853263

MT41J512M4JE-15E:A

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1000+
$37.05
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    MT41J512M4JE-15E:A
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC DRAM 2G PARALLEL 82FBGA
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
  • Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg
    -
  • Pinge - varustus
    1.425 V ~ 1.575 V
  • Tehnoloogia
    SDRAM - DDR3
  • Pakkuja seadme pakett
    82-FBGA (12.5x15.5)
  • Seeria
    -
  • Pakend
    Tray
  • Pakett / kott
    82-FBGA
  • Töötemperatuur
    0°C ~ 95°C (TC)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Mälu tüüp
    Volatile
  • Mälu suurus
    2Gb (512M x 4)
  • Mäluliides
    Parallel
  • Mäluportaal
    DRAM
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Täpsem kirjeldus
    SDRAM - DDR3 Memory IC 2Gb (512M x 4) Parallel 667MHz 13.5ns 82-FBGA (12.5x15.5)
  • Kellade sagedus
    667MHz
  • Baasosa number
    MT41J512M4
  • Juurdepääsuaeg
    13.5ns
MT41J64M16JT-107:G

MT41J64M16JT-107:G

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41J512M4HX-15E:D

MT41J512M4HX-15E:D

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41J256M8JE-15E:A

MT41J256M8JE-15E:A

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 82FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41J256M8HX-187E:D

MT41J256M8HX-187E:D

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41J512M8THD-15E:D

MT41J512M8THD-15E:D

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41J256M8HX-15E:D

MT41J256M8HX-15E:D

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41J512M8THD-187E:D

MT41J512M8THD-187E:D

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41J256M8HX-15E:D TR

MT41J256M8HX-15E:D TR

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41J64M16JT-125:G

MT41J64M16JT-125:G

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41J512M8RH-093:E TR

MT41J512M8RH-093:E TR

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41J256M8HX-15E IT:D

MT41J256M8HX-15E IT:D

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41J512M4HX-125:D

MT41J512M4HX-125:D

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41J512M8THU-15E:A

MT41J512M8THU-15E:A

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 667MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41J256M8JE-187E:A

MT41J256M8JE-187E:A

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 82FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41J256M8HX-15E IT:D TR

MT41J256M8HX-15E IT:D TR

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41J512M8RH-093:E

MT41J512M8RH-093:E

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41J512M8RA-15E IT:D

MT41J512M8RA-15E IT:D

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41J512M8THU-187E:A

MT41J512M8THU-187E:A

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41J512M4HX-187E:D

MT41J512M4HX-187E:D

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41J512M8RH-107:E

MT41J512M8RH-107:E

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi