Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Integraallülitused (IC) > Mälu > MT41K256M16LY-107:N
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6081262

MT41K256M16LY-107:N

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1080+
$8.924
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    MT41K256M16LY-107:N
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ
  • Lead Free status / RoHS staatus
  • Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg
    -
  • Pinge - varustus
    1.283 V ~ 1.45 V
  • Tehnoloogia
    SDRAM - DDR3L
  • Pakkuja seadme pakett
    96-FBGA (7.5x13.5)
  • Seeria
    -
  • Pakend
    Tray
  • Pakett / kott
    96-TFBGA
  • Töötemperatuur
    0°C ~ 95°C (TC)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Mälu tüüp
    Volatile
  • Mälu suurus
    4Gb (256M x 16)
  • Mäluliides
    Parallel
  • Mäluportaal
    DRAM
  • Täpsem kirjeldus
    SDRAM - DDR3L Memory IC 4Gb (256M x 16) Parallel 933MHz 20ns 96-FBGA (7.5x13.5)
  • Kellade sagedus
    933MHz
  • Juurdepääsuaeg
    20ns
MT41K256M16TW-107 AIT:P TR

MT41K256M16TW-107 AIT:P TR

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K256M16TW-107 AAT:P

MT41K256M16TW-107 AAT:P

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K256M16LY-093:N TR

MT41K256M16LY-093:N TR

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K256M16HA-125 M:E

MT41K256M16HA-125 M:E

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K256M16HA-125 XIT:E TR

MT41K256M16HA-125 XIT:E TR

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K256M16TW-093:P

MT41K256M16TW-093:P

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K256M16TW-107 AIT:P

MT41K256M16TW-107 AIT:P

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K256M16HA-125:E TR

MT41K256M16HA-125:E TR

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K256M16HA-125 V:E TR

MT41K256M16HA-125 V:E TR

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K256M16TW-093 IT:P

MT41K256M16TW-093 IT:P

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 1067MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K256M16RE-15E IT:D

MT41K256M16RE-15E IT:D

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K256M16LY-107:N TR

MT41K256M16LY-107:N TR

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K256M16HA-125 V:E

MT41K256M16HA-125 V:E

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K256M16HA-125 M:E TR

MT41K256M16HA-125 M:E TR

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K256M16TW-093:P TR

MT41K256M16TW-093:P TR

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K256M16HA-125 XIT:E

MT41K256M16HA-125 XIT:E

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K256M16LY-093:N

MT41K256M16LY-093:N

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 1067MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K256M16TW-107 AAT:P TR

MT41K256M16TW-107 AAT:P TR

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K256M16HA-125:E

MT41K256M16HA-125:E

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K256M16TW-093 IT:P TR

MT41K256M16TW-093 IT:P TR

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi