Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Integraallülitused (IC) > Mälu > MT41K256M16TW-107 AT:P
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
3745214

MT41K256M16TW-107 AT:P

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    MT41K256M16TW-107 AT:P
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MEMORY DRAM
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
  • Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg
    -
  • Pinge - varustus
    1.283 V ~ 1.45 V
  • Tehnoloogia
    SDRAM - DDR3L
  • Pakkuja seadme pakett
    96-FBGA (8x14)
  • Seeria
    -
  • Pakend
    Tray
  • Pakett / kott
    96-TFBGA
  • Muud nimed
    MT41K256M16TW-107AT:P
  • Töötemperatuur
    -40°C ~ 95°C (TC)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Mälu tüüp
    Volatile
  • Mälu suurus
    4Gb (256M x 16)
  • Mäluliides
    Parallel
  • Mäluportaal
    DRAM
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Täpsem kirjeldus
    SDRAM - DDR3L Memory IC 4Gb (256M x 16) Parallel 933MHz 20ns 96-FBGA (8x14)
  • Kellade sagedus
    933MHz
  • Juurdepääsuaeg
    20ns
MT41K256M16TW-107 XIT:P TR

MT41K256M16TW-107 XIT:P TR

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K256M16TW-107 AAT:P TR

MT41K256M16TW-107 AAT:P TR

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K256M16TW-107:P TR

MT41K256M16TW-107:P TR

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K256M16TW-107 AAT:P

MT41K256M16TW-107 AAT:P

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K256M16TW-107:P

MT41K256M16TW-107:P

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K256M16TW-107 AUT:P TR

MT41K256M16TW-107 AUT:P TR

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K256M16TW-107 AIT:P

MT41K256M16TW-107 AIT:P

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K256M16RE-15E IT:D

MT41K256M16RE-15E IT:D

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K256M16TW-107 XIT:P

MT41K256M16TW-107 XIT:P

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K256M16TW-107 V:P

MT41K256M16TW-107 V:P

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K256M16TW-093:P TR

MT41K256M16TW-093:P TR

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K256M16TW-107 V:P TR

MT41K256M16TW-107 V:P TR

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K256M16TW-093:P

MT41K256M16TW-093:P

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K256M16TW-107 AIT:P TR

MT41K256M16TW-107 AIT:P TR

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K256M16TW-093 IT:P TR

MT41K256M16TW-093 IT:P TR

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K256M16TW-107 AUT:P

MT41K256M16TW-107 AUT:P

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K256M16LY-107:N TR

MT41K256M16LY-107:N TR

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K256M16TW-107 AT:P TR

MT41K256M16TW-107 AT:P TR

Kirjeldus: MEMORY DRAM

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K256M16TW-107 M AIT:P TR

MT41K256M16TW-107 M AIT:P TR

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K256M16TW-093 IT:P

MT41K256M16TW-093 IT:P

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 1067MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi