Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Integraallülitused (IC) > Mälu > MT41K512M16TNA-107:E
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
519258

MT41K512M16TNA-107:E

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1000+
$28.431
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    MT41K512M16TNA-107:E
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
  • Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg
    -
  • Pinge - varustus
    1.283 V ~ 1.45 V
  • Tehnoloogia
    SDRAM - DDR3L
  • Pakkuja seadme pakett
    96-FBGA (10x14)
  • Seeria
    -
  • Pakend
    Tray
  • Pakett / kott
    96-TFBGA
  • Töötemperatuur
    0°C ~ 95°C (TC)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Mälu tüüp
    Volatile
  • Mälu suurus
    8Gb (512M x 16)
  • Mäluliides
    Parallel
  • Mäluportaal
    DRAM
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Täpsem kirjeldus
    SDRAM - DDR3L Memory IC 8Gb (512M x 16) Parallel 933MHz 20ns 96-FBGA (10x14)
  • Kellade sagedus
    933MHz
  • Juurdepääsuaeg
    20ns
MT41K512M4DA-107:K

MT41K512M4DA-107:K

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K512M16TNA-125:E TR

MT41K512M16TNA-125:E TR

Kirjeldus: IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K512M16HA-125 AIT:A TR

MT41K512M16HA-125 AIT:A TR

Kirjeldus: IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K512M16V91AWC1

MT41K512M16V91AWC1

Kirjeldus: DDR3 8G DIE 512MX16

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K512M16HA-107 IT:A TR

MT41K512M16HA-107 IT:A TR

Kirjeldus: IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K512M16TNA-125 M:E TR

MT41K512M16TNA-125 M:E TR

Kirjeldus: IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K512M16TNA-125 M:E

MT41K512M16TNA-125 M:E

Kirjeldus: IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K512M4DA-125:K TR

MT41K512M4DA-125:K TR

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K512M16TNA-125 IT:E TR

MT41K512M16TNA-125 IT:E TR

Kirjeldus: IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K512M16TNA-125 IT:E

MT41K512M16TNA-125 IT:E

Kirjeldus: IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K512M16HA-125:A

MT41K512M16HA-125:A

Kirjeldus: IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K512M16HA-107 IT:A

MT41K512M16HA-107 IT:A

Kirjeldus: IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K512M16HA-125:A TR

MT41K512M16HA-125:A TR

Kirjeldus: IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K512M16HA-107:A

MT41K512M16HA-107:A

Kirjeldus: IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K512M4DA-125:K

MT41K512M4DA-125:K

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K512M16HA-107:A TR

MT41K512M16HA-107:A TR

Kirjeldus: IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K512M16HA-125 IT:A

MT41K512M16HA-125 IT:A

Kirjeldus: IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K512M16TNA-125:E

MT41K512M16TNA-125:E

Kirjeldus: IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K512M16HA-107G:A

MT41K512M16HA-107G:A

Kirjeldus: IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K512M16HA-125 AIT:A

MT41K512M16HA-125 AIT:A

Kirjeldus: IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi