Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Integraallülitused (IC) > Mälu > MT41K512M8V90BWC1
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
3308849

MT41K512M8V90BWC1

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    MT41K512M8V90BWC1
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC DRAM 4G PARALLEL
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg
    -
  • Pinge - varustus
    1.283 V ~ 1.45 V
  • Tehnoloogia
    SDRAM - DDR3L
  • Seeria
    -
  • Töötemperatuur
    0°C ~ 95°C (TC)
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Mälu tüüp
    Volatile
  • Mälu suurus
    4Gb (512M x 8)
  • Mäluliides
    Parallel
  • Mäluportaal
    DRAM
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Täpsem kirjeldus
    SDRAM - DDR3L Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel
MT41K64M16TW-107 AUT:J

MT41K64M16TW-107 AUT:J

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 933MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K64M16JT-15E:G

MT41K64M16JT-15E:G

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K512M8V00HWC1-N001

MT41K512M8V00HWC1-N001

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K512M8RH-125:E

MT41K512M8RH-125:E

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K64M16TW-107 AIT:J

MT41K64M16TW-107 AIT:J

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K64M16TW-107 AAT:J TR

MT41K64M16TW-107 AAT:J TR

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K64M16TW-107 AAT:J

MT41K64M16TW-107 AAT:J

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K64M16JT-15E:G TR

MT41K64M16JT-15E:G TR

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K512M8RH-125 V:E TR

MT41K512M8RH-125 V:E TR

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K512M8V00HWC1

MT41K512M8V00HWC1

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL DIE

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K64M16TW-107 AUT:J TR

MT41K64M16TW-107 AUT:J TR

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K512M8V00HWC1-N002

MT41K512M8V00HWC1-N002

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K512M8RH-125 XIT:E TR

MT41K512M8RH-125 XIT:E TR

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K64M16JT-125:G TR

MT41K64M16JT-125:G TR

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K512M8V80AWC1

MT41K512M8V80AWC1

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL DIE

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K512M8RH-125:E TR

MT41K512M8RH-125:E TR

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K64M16TW-107 AIT:J TR

MT41K64M16TW-107 AIT:J TR

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K512M8RH-125 XIT:E

MT41K512M8RH-125 XIT:E

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K64M16JT-125:G

MT41K64M16JT-125:G

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K512M8THD-15E:D

MT41K512M8THD-15E:D

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi