Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Integraallülitused (IC) > Mälu > MT46H16M32LFCM-6:B TR
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
2147015MT46H16M32LFCM-6:B TR piltMicron Technology

MT46H16M32LFCM-6:B TR

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1000+
$11.791
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    MT46H16M32LFCM-6:B TR
  • Tootja / bränd
    Micron Technology
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    MT46H16M32LFCM-6:B TR.pdf
  • Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg
    15ns
  • Pinge - varustus
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Tehnoloogia
    SDRAM - Mobile LPDDR
  • Pakkuja seadme pakett
    90-VFBGA (10x13)
  • Seeria
    -
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    90-VFBGA
  • Muud nimed
    557-1381-2
  • Töötemperatuur
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    2 (1 Year)
  • Mälu tüüp
    Volatile
  • Mälu suurus
    512Mb (16M x 32)
  • Mäluliides
    Parallel
  • Mäluportaal
    DRAM
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Täpsem kirjeldus
    SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 512Mb (16M x 32) Parallel 166MHz 5.0ns 90-VFBGA (10x13)
  • Kellade sagedus
    166MHz
  • Baasosa number
    MT46H16M32
  • Juurdepääsuaeg
    5.0ns

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "MT46H16M32LFCM-6:B TR" seotud tooted.
MT46H16M32LFCX-5:B

MT46H16M32LFCX-5:B

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
MT46H16M32LFCX-6 IT:B TR

MT46H16M32LFCX-6 IT:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
MT46H16M32LFCX-6 IT:B

MT46H16M32LFCX-6 IT:B

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
MT46H16M32LFCM-5 IT:B TR

MT46H16M32LFCM-5 IT:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
MT46H16M32LFCM-6 L IT:B

MT46H16M32LFCM-6 L IT:B

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
MT46H16M32LFCG-6 IT:B TR

MT46H16M32LFCG-6 IT:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 152VFBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
MT46H16M32LFCX-5:B TR

MT46H16M32LFCX-5:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
MT46H16M32LFCM-5 IT:B

MT46H16M32LFCM-5 IT:B

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
MT46H16M32LFCM-5:B TR

MT46H16M32LFCM-5:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
MT46H16M32LFCM-6 L IT:B TR

MT46H16M32LFCM-6 L IT:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
MT46H16M32LFT67M-N1003

MT46H16M32LFT67M-N1003

Kirjeldus: IC SDRAM MOBILE DDR 512M

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
MT46H16M32LFCM-6 IT TR

MT46H16M32LFCM-6 IT TR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
MT46H16M32LFCM-6 IT:B TR

MT46H16M32LFCM-6 IT:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
MT46H16M32LFCX-6:B

MT46H16M32LFCX-6:B

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
MT46H16M32LFCX-5 IT:B TR

MT46H16M32LFCX-5 IT:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
MT46H16M32LFCX-6:B TR

MT46H16M32LFCX-6:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
MT46H16M32LFCX-5 IT:B

MT46H16M32LFCX-5 IT:B

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
MT46H16M32LFCM-6 TR

MT46H16M32LFCM-6 TR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
MT46H16M32LFCM-75 IT

MT46H16M32LFCM-75 IT

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
MT46H16M32LFCG-6 IT:B

MT46H16M32LFCG-6 IT:B

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 152VFBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.