Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Integraallülitused (IC) > Mälu > MT47H16M16BG-37V:B
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
3279761MT47H16M16BG-37V:B piltMicron Technology

MT47H16M16BG-37V:B

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1000+
$11.282
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    MT47H16M16BG-37V:B
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC DRAM 256M PARALLEL 84FBGA
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg
    15ns
  • Pinge - varustus
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Tehnoloogia
    SDRAM - DDR2
  • Pakkuja seadme pakett
    84-FBGA (8x14)
  • Seeria
    -
  • Pakend
    Tray
  • Pakett / kott
    84-FBGA
  • Töötemperatuur
    0°C ~ 85°C (TC)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    5 (48 Hours)
  • Mälu tüüp
    Volatile
  • Mälu suurus
    256Mb (16M x 16)
  • Mäluliides
    Parallel
  • Mäluportaal
    DRAM
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Täpsem kirjeldus
    SDRAM - DDR2 Memory IC 256Mb (16M x 16) Parallel 267MHz 500ps 84-FBGA (8x14)
  • Kellade sagedus
    267MHz
  • Baasosa number
    MT47H16M16
  • Juurdepääsuaeg
    500ps
MT47H16M16BG-37E:B TR

MT47H16M16BG-37E:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 84FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H1G4WTR-25E:C

MT47H1G4WTR-25E:C

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 63FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H16M16BG-3E:B

MT47H16M16BG-3E:B

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 84FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H128M8SH-25E AAT:M

MT47H128M8SH-25E AAT:M

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H128M8JN-3:H

MT47H128M8JN-3:H

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H1G4WTR-25E:C TR

MT47H1G4WTR-25E:C TR

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 63FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H256M4B7-37E:A

MT47H256M4B7-37E:A

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H16M16BG-5E:B TR

MT47H16M16BG-5E:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 84FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H16M16BG-3 IT:B TR

MT47H16M16BG-3 IT:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 84FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H256M4B7-5E:A

MT47H256M4B7-5E:A

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H128M8SH-25E:M

MT47H128M8SH-25E:M

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H256M4B7-5E:A TR

MT47H256M4B7-5E:A TR

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H16M16BG-3:B TR

MT47H16M16BG-3:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 84FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H16M16BG-5E:B

MT47H16M16BG-5E:B

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 84FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H128M8SH-25E AIT:M

MT47H128M8SH-25E AIT:M

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H128M8JN-3 IT:H

MT47H128M8JN-3 IT:H

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H128M8SH-187E:M

MT47H128M8SH-187E:M

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H256M4B7-37E:A TR

MT47H256M4B7-37E:A TR

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H128M8SH-187E:M TR

MT47H128M8SH-187E:M TR

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H128M8SH-25E IT:M

MT47H128M8SH-25E IT:M

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi