Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

*Ettevõtte nimi
*Nimetus
*Tiitel

*E-posti aadress
*Telefoninumber

*Riik
*Kontaktiaken
*Sündmuse kuupäev

*Sõnum

Electronica 2024 külastajatele

Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.

Kodu > Tooted > Integraallülitused (IC) > Mälu > MT47H256M8THN-25E:H

RFQs/tellimus (0)

Eesti Vabariik

Eesti Vabariik

596726

MT47H256M8THN-25E:H

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos

1000+

$26.852

Päring veebis

Spetsifikatsioonid

Osa number

MT47H256M8THN-25E:H
Tootja / bränd

Micron Technology
Varukogus

Laos
Kirjeldus

IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA
Lead Free status / RoHS staatus

Plii vaba / RoHS vastavuses
Andmelehed

1.MT47H256M8THN-25E:H.pdf
2.MT47H256M8THN-25E:H.pdf
Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg

15ns
Pinge - varustus

1.7 V ~ 1.9 V
Tehnoloogia

SDRAM - DDR2
Pakkuja seadme pakett

63-FBGA (8x10)
Seeria

-
Pakend

Tray
Pakett / kott

63-TFBGA
Töötemperatuur

0°C ~ 85°C (TC)
Paigaldus tüüp

Surface Mount
Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)

3 (168 Hours)
Mälu tüüp

Volatile
Mälu suurus

2Gb (256M x 8)
Mäluliides

Parallel
Mäluportaal

DRAM
Lead Free status / RoHS staatus

Lead free / RoHS Compliant
Täpsem kirjeldus

SDRAM - DDR2 Memory IC 2Gb (256M x 8) Parallel 400MHz 400ps 63-FBGA (8x10)
Kellade sagedus

400MHz
Baasosa number

MT47H256M8
Juurdepääsuaeg

400ps

Seotud uudised
Laevandus
Makse

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

Saatmine

Makse

Järgnev on "MT47H256M8THN-25E:H" seotud tooted.

MT47H32M16BN-25:D TR

MT47H32M16BN-25:D TR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Tootjad: Micron Technology

Laos

MT47H256M8THN-3:H

MT47H256M8THN-3:H

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Tootjad: Micron Technology

Laos

MT47H32M16BN-3 IT:D TR

MT47H32M16BN-3 IT:D TR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Tootjad: Micron Technology

Laos

MT47H256M8EB-25E:C

MT47H256M8EB-25E:C

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology

Laos

MT47H256M8EB-25E AIT:C TR

MT47H256M8EB-25E AIT:C TR

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology

Laos

MT47H256M8THN-25E:H TR

MT47H256M8THN-25E:H TR

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Tootjad: Micron Technology

Laos

MT47H256M8EB-3:C TR

MT47H256M8EB-3:C TR

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology

Laos

MT47H256M8THN-25E IT:H

MT47H256M8THN-25E IT:H

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Tootjad: Micron Technology

Laos

MT47H32M16BN-25E IT:D TR

MT47H32M16BN-25E IT:D TR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Tootjad: Micron Technology

Laos

MT47H256M8EB-25E IT:C TR

MT47H256M8EB-25E IT:C TR

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology

Laos

MT47H32M16BN-25E:D TR

MT47H32M16BN-25E:D TR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Tootjad: Micron Technology

Laos

MT47H256M8EB-3:C

MT47H256M8EB-3:C

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology

Laos

MT47H256M8EB-25E:C TR

MT47H256M8EB-25E:C TR

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology

Laos

MT47H256M8EB-25E XIT:C TR

MT47H256M8EB-25E XIT:C TR

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology

Laos

MT47H256M8EB-25E XIT:C

MT47H256M8EB-25E XIT:C

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology

Laos

MT47H256M8THN-3:H TR

MT47H256M8THN-3:H TR

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Tootjad: Micron Technology

Laos

MT47H256M8THN-25E:M

MT47H256M8THN-25E:M

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Tootjad: Micron Technology

Laos

MT47H256M8THN-25E:M TR

MT47H256M8THN-25E:M TR

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Tootjad: Micron Technology

Laos

MT47H256M8THN-3 IT:H

MT47H256M8THN-3 IT:H

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Tootjad: Micron Technology

Laos

MT47H256M8EB-25E IT:C

MT47H256M8EB-25E IT:C

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology

Laos

Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.

Järgne meile

Tingimused Rikkumispoliitika Taotleda pakkumist Meist Võta meiega ühendust Saidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.