Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Integraallülitused (IC) > Mälu > MT47H64M16B7-5E:A
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1105253MT47H64M16B7-5E:A piltMicron Technology

MT47H64M16B7-5E:A

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1000+
$84.037
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    MT47H64M16B7-5E:A
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
  • Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg
    15ns
  • Pinge - varustus
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Tehnoloogia
    SDRAM - DDR2
  • Pakkuja seadme pakett
    92-FBGA (11x19)
  • Seeria
    -
  • Pakend
    Tray
  • Pakett / kott
    92-VFBGA
  • Töötemperatuur
    0°C ~ 85°C (TC)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Mälu tüüp
    Volatile
  • Mälu suurus
    1Gb (64M x 16)
  • Mäluliides
    Parallel
  • Mäluportaal
    DRAM
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Täpsem kirjeldus
    SDRAM - DDR2 Memory IC 1Gb (64M x 16) Parallel 200MHz 600ps 92-FBGA (11x19)
  • Kellade sagedus
    200MHz
  • Baasosa number
    MT47H64M16
  • Juurdepääsuaeg
    600ps
MT47H64M16HR-25 IT:H TR

MT47H64M16HR-25 IT:H TR

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H512M8WTR-25E:C

MT47H512M8WTR-25E:C

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 63FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H64M16BT-3:A TR

MT47H64M16BT-3:A TR

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H64M16HR-25:H

MT47H64M16HR-25:H

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H64M16BT-5E:A

MT47H64M16BT-5E:A

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H64M16HR-187E:H TR

MT47H64M16HR-187E:H TR

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H64M16B7-37E:A

MT47H64M16B7-37E:A

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H64M16HR-25:H TR

MT47H64M16HR-25:H TR

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H64M16HR-187E:H

MT47H64M16HR-187E:H

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H64M16B7-37E:A TR

MT47H64M16B7-37E:A TR

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H512M8WTR-3:C

MT47H512M8WTR-3:C

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 63FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H512M4THN-3:E TR

MT47H512M4THN-3:E TR

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H512M4THN-25E:M

MT47H512M4THN-25E:M

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H512M4THN-25E:M TR

MT47H512M4THN-25E:M TR

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H64M16B7-5E:A TR

MT47H64M16B7-5E:A TR

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H512M4THN-3:H

MT47H512M4THN-3:H

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H512M4THN-37E:E TR

MT47H512M4THN-37E:E TR

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H64M16BT-37E:A

MT47H64M16BT-37E:A

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H512M8WTR-25E:C TR

MT47H512M8WTR-25E:C TR

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 63FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H64M16HR-25 IT:H

MT47H64M16HR-25 IT:H

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi