Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Integraallülitused (IC) > Mälu > MT47H64M8CF-187E:G
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5993594MT47H64M8CF-187E:G piltMicron Technology

MT47H64M8CF-187E:G

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1000+
$10.484
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    MT47H64M8CF-187E:G
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
  • Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg
    15ns
  • Pinge - varustus
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Tehnoloogia
    SDRAM - DDR2
  • Pakkuja seadme pakett
    60-FBGA (8x10)
  • Seeria
    -
  • Pakend
    Tray
  • Pakett / kott
    60-TFBGA
  • Töötemperatuur
    0°C ~ 85°C (TC)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Mälu tüüp
    Volatile
  • Mälu suurus
    512Mb (64M x 8)
  • Mäluliides
    Parallel
  • Mäluportaal
    DRAM
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Täpsem kirjeldus
    SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 533MHz 350ps 60-FBGA (8x10)
  • Kellade sagedus
    533MHz
  • Baasosa number
    MT47H64M8
  • Juurdepääsuaeg
    350ps
MT47H64M8CF-25E:G TR

MT47H64M8CF-25E:G TR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H64M8CB-5E IT:B

MT47H64M8CB-5E IT:B

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H64M8CF-25E IT:G

MT47H64M8CF-25E IT:G

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H64M8CF-25E IT:G TR

MT47H64M8CF-25E IT:G TR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H64M8CB-5E:B

MT47H64M8CB-5E:B

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H64M8CB-37V:B

MT47H64M8CB-37V:B

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H64M8CB-37E:B TR

MT47H64M8CB-37E:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H64M8CF-25E L:G

MT47H64M8CF-25E L:G

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H64M8CB-5E:B TR

MT47H64M8CB-5E:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H64M8CF-25E:G

MT47H64M8CF-25E:G

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H64M8CB-3:B

MT47H64M8CB-3:B

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H64M8CB-5E IT:B TR

MT47H64M8CB-5E IT:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H64M8CF-25E AIT:G TR

MT47H64M8CF-25E AIT:G TR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H64M8CB-3:B TR

MT47H64M8CB-3:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H64M8CF-25E AIT:G

MT47H64M8CF-25E AIT:G

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H64M8JN-25E IT:G

MT47H64M8JN-25E IT:G

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H64M8CB-37V:B TR

MT47H64M8CB-37V:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H64M8CF-25E L:G TR

MT47H64M8CF-25E L:G TR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H64M8CB-37E:B

MT47H64M8CB-37E:B

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H64M8JN-25E:G

MT47H64M8JN-25E:G

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi