Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Integreeritud vooluringid (IC) > Mälu > MT47H64M8SH-25E AAT:H
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1580970

MT47H64M8SH-25E AAT:H

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1518+
$7.02
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    MT47H64M8SH-25E AAT:H
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC DRAM 512M PARALLEL 400MHZ
  • Lead Free status / RoHS staatus
  • Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg
    15ns
  • Pinge - varustus
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Tehnoloogia
    SDRAM - DDR2
  • Seeria
    -
  • Muud nimed
    MT47H64M8SH-25E AAT:H-ND
    MT47H64M8SH-25EAAT:H
  • Töötemperatuur
    -40°C ~ 105°C (TA)
  • Mälu tüüp
    Volatile
  • Mälu suurus
    512Mb (64M x 8)
  • Mäluliides
    Parallel
  • Mäluportaal
    DRAM
  • Täpsem kirjeldus
    SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 400MHz 400ps
  • Kellade sagedus
    400MHz
  • Juurdepääsuaeg
    400ps
MT47R128M8CF-25:H

MT47R128M8CF-25:H

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47R256M4CF-3:H

MT47R256M4CF-3:H

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H64M8CF-25E:G

MT47H64M8CF-25E:G

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H64M8CF-25E AIT:G TR

MT47H64M8CF-25E AIT:G TR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H64M8JN-25E IT:G

MT47H64M8JN-25E IT:G

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H64M8CF-25E L:G

MT47H64M8CF-25E L:G

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H64M8SH-187E:H TR

MT47H64M8SH-187E:H TR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 533MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H64M8CF-25E IT:G TR

MT47H64M8CF-25E IT:G TR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47R128M8CF-3:H

MT47R128M8CF-3:H

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47R256M4CF-25E:H

MT47R256M4CF-25E:H

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H64M8JN-25E:G

MT47H64M8JN-25E:G

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H64M8SH-25E AAT:H TR

MT47H64M8SH-25E AAT:H TR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 400MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H64M8SH-25E:H

MT47H64M8SH-25E:H

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H64M8CF-25E IT:G

MT47H64M8CF-25E IT:G

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H64M8SH-25E AIT:H

MT47H64M8SH-25E AIT:H

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H64M8CF-25E:G TR

MT47H64M8CF-25E:G TR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H64M8CF-25E L:G TR

MT47H64M8CF-25E L:G TR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H64M8SH-25E IT:H

MT47H64M8SH-25E IT:H

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47R256M8EB-25E:C

MT47R256M8EB-25E:C

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47R512M4EB-25E:C

MT47R512M4EB-25E:C

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi