Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Integraallülitused (IC) > Mälu > MT49H32M18CFM-25E:B TR
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
3310579

MT49H32M18CFM-25E:B TR

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    MT49H32M18CFM-25E:B TR
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
  • Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg
    -
  • Pinge - varustus
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Tehnoloogia
    DRAM
  • Pakkuja seadme pakett
    144-µBGA (18.5x11)
  • Seeria
    -
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    144-TFBGA
  • Muud nimed
    MT49H32M18CFM-25E:B TR-ND
    MT49H32M18CFM-25E:BTR
  • Töötemperatuur
    0°C ~ 95°C (TC)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Mälu tüüp
    Volatile
  • Mälu suurus
    576Mb (32M x 18)
  • Mäluliides
    Parallel
  • Mäluportaal
    DRAM
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Täpsem kirjeldus
    DRAM Memory IC 576Mb (32M x 18) Parallel 400MHz 15ns 144-µBGA (18.5x11)
  • Kellade sagedus
    400MHz
  • Juurdepääsuaeg
    15ns
MT49H32M18CSJ-25E:B

MT49H32M18CSJ-25E:B

Kirjeldus: IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT49H32M18FM-25E:B

MT49H32M18FM-25E:B

Kirjeldus: IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT49H32M18CBM-18:B

MT49H32M18CBM-18:B

Kirjeldus: IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT49H32M18CSJ-18:B

MT49H32M18CSJ-18:B

Kirjeldus: IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT49H32M18BM-33:B TR

MT49H32M18BM-33:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT49H32M18CFM-25:B TR

MT49H32M18CFM-25:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT49H32M18CSJ-18:B TR

MT49H32M18CSJ-18:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT49H32M18CFM-18:B

MT49H32M18CFM-18:B

Kirjeldus: IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT49H32M18CFM-25E:B

MT49H32M18CFM-25E:B

Kirjeldus: IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT49H32M18FM-25:B

MT49H32M18FM-25:B

Kirjeldus: IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT49H32M18CSJ-25E IT:B

MT49H32M18CSJ-25E IT:B

Kirjeldus: IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT49H32M18FM-25E:B TR

MT49H32M18FM-25E:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT49H32M18FM-25:B TR

MT49H32M18FM-25:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT49H32M18CSJ-25E IT:B TR

MT49H32M18CSJ-25E IT:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT49H32M18CFM-25:B

MT49H32M18CFM-25:B

Kirjeldus: IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT49H32M18CSJ-25E:B TR

MT49H32M18CSJ-25E:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT49H32M18CBM-25 IT:B

MT49H32M18CBM-25 IT:B

Kirjeldus: IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT49H32M18CBM-18:B TR

MT49H32M18CBM-18:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT49H32M18CFM-18:B TR

MT49H32M18CFM-18:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT49H32M18CBM-25 IT:B TR

MT49H32M18CBM-25 IT:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi