Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Integraallülitused (IC) > Mälu > MT52L256M64D2GN-107 WT ES:B TR
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1813424

MT52L256M64D2GN-107 WT ES:B TR

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1000+
$24.814
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    MT52L256M64D2GN-107 WT ES:B TR
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC DRAM 16G 933MHZ FBGA
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg
    -
  • Pinge - varustus
    1.2V
  • Tehnoloogia
    SDRAM - Mobile LPDDR3
  • Seeria
    -
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Muud nimed
    MT52L256M64D2GN-107 WT ES:B TR-ND
    MT52L256M64D2GN-107WTES:BTR
  • Töötemperatuur
    -30°C ~ 85°C (TC)
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Mälu tüüp
    Volatile
  • Mälu suurus
    16Gb (256M x 64)
  • Mäluliides
    -
  • Mäluportaal
    DRAM
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Täpsem kirjeldus
    SDRAM - Mobile LPDDR3 Memory IC 16Gb (256M x 64) 933MHz
  • Kellade sagedus
    933MHz
MT52L256M64D2PD-107 WT:B TR

MT52L256M64D2PD-107 WT:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 16G 933MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT52L256M64D2FT-107 WT:B

MT52L256M64D2FT-107 WT:B

Kirjeldus: LPDDR3 16G 256MX64 WFBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT52L256M64D2LZ-107 XT:B TR

MT52L256M64D2LZ-107 XT:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 16G 933MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT52L256M64D2LZ-107 WT:B

MT52L256M64D2LZ-107 WT:B

Kirjeldus: IC DRAM 16G 933MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT52L256M32D1PH-107 WT ES:B TR

MT52L256M32D1PH-107 WT ES:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 8G 933MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT52L256M64D2GN-107 WT:B TR

MT52L256M64D2GN-107 WT:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 16G 933MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT52L256M32D1V01MWC2

MT52L256M32D1V01MWC2

Kirjeldus: LPDDR3 8G DIE 256MX32

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT52L256M64D2PD-107 XT ES:B TR

MT52L256M64D2PD-107 XT ES:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 16G 933MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT52L256M32D1PU-107 WT ES:B TR

MT52L256M32D1PU-107 WT ES:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 8G 933MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT52L256M64D2PD-107 WT ES:B TR

MT52L256M64D2PD-107 WT ES:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 16G 933MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT52L256M32D1PF-107 WT:B TR

MT52L256M32D1PF-107 WT:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 8G 933MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT52L256M32D1PU-107 WT ES:B

MT52L256M32D1PU-107 WT ES:B

Kirjeldus: IC DRAM 8G 933MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT52L256M32D1V01MWC2 MS

MT52L256M32D1V01MWC2 MS

Kirjeldus: LPDDR3 8G DIE 256MX32

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT52L256M64D2LZ-107 WT:B TR

MT52L256M64D2LZ-107 WT:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 16G 933MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT52L256M64D2GN-107 WT:B

MT52L256M64D2GN-107 WT:B

Kirjeldus: IC DRAM 16G 933MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT52L256M32D1PU-107 WT:B TR

MT52L256M32D1PU-107 WT:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 8G 933MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT52L256M64D2FT-107 WT:B TR

MT52L256M64D2FT-107 WT:B TR

Kirjeldus: LPDDR3 16G 256MX64 WFBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT52L256M64D2PD-107 WT:B

MT52L256M64D2PD-107 WT:B

Kirjeldus: IC DRAM 16G 933MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT52L256M32D1PU-107 WT:B

MT52L256M32D1PU-107 WT:B

Kirjeldus: IC DRAM 8G 933MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT52L256M64D2LZ-107 XT:B

MT52L256M64D2LZ-107 XT:B

Kirjeldus: IC DRAM 16G 933MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi