Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Integraallülitused (IC) > Mälu > MT53B128M32D1DS-062 AUT:A
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
546861

MT53B128M32D1DS-062 AUT:A

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1360+
$13.433
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    MT53B128M32D1DS-062 AUT:A
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC DRAM 4G 1600MHZ
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg
    -
  • Pinge - varustus
    1.1V
  • Tehnoloogia
    SDRAM - Mobile LPDDR4
  • Seeria
    -
  • Muud nimed
    MT53B128M32D1DS-062 AUT:A-ND
    MT53B128M32D1DS-062AUT:A
  • Töötemperatuur
    -40°C ~ 125°C (TC)
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Mälu tüüp
    Volatile
  • Mälu suurus
    4Gb (128M x 32)
  • Mäluliides
    -
  • Mäluportaal
    DRAM
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Täpsem kirjeldus
    SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 4Gb (128M x 32) 1600MHz
  • Kellade sagedus
    1600MHz
MT53B128M32D1DS-062 AIT:A TR

MT53B128M32D1DS-062 AIT:A TR

Kirjeldus: IC DRAM 4G 1600MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B128M32D1DS-053 AUT:A TR

MT53B128M32D1DS-053 AUT:A TR

Kirjeldus: IC DRAM 4G 1866MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B128M32D1NP-062 WT:A TR

MT53B128M32D1NP-062 WT:A TR

Kirjeldus: IC DRAM 4G 1600MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B128M32D1Z00NEC2

MT53B128M32D1Z00NEC2

Kirjeldus: LPDDR4 4G DIE 128MX32

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B128M32D1DS-062 AUT:A TR

MT53B128M32D1DS-062 AUT:A TR

Kirjeldus: IC DRAM 4G 1600MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B1024M64D8WF-062 WT ES:D

MT53B1024M64D8WF-062 WT ES:D

Kirjeldus: IC DRAM 64G 1600MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B128M32D1NP-062 AIT:A TR

MT53B128M32D1NP-062 AIT:A TR

Kirjeldus: IC DRAM 4G 1600MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B1024M64D8PM-062 WT:D TR

MT53B1024M64D8PM-062 WT:D TR

Kirjeldus: IC DRAM 64G 1600MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B128M32D1DS-053 AUT:A

MT53B128M32D1DS-053 AUT:A

Kirjeldus: IC DRAM 4G 1866MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B1024M64D8WF-062 WT:D

MT53B1024M64D8WF-062 WT:D

Kirjeldus: IC DRAM 64G 1600MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B128M32D1NP-062 AAT:A TR

MT53B128M32D1NP-062 AAT:A TR

Kirjeldus: IC DRAM 4G 1600MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B128M32D1NP-062 AUT:A

MT53B128M32D1NP-062 AUT:A

Kirjeldus: IC DRAM 4G 1600MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B128M32D1NP-062 WT:A

MT53B128M32D1NP-062 WT:A

Kirjeldus: IC DRAM 4G 1600MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B128M32D1DS-062 AAT:A TR

MT53B128M32D1DS-062 AAT:A TR

Kirjeldus: IC DRAM 4G 1600MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B128M32D1DS-062 AIT:A

MT53B128M32D1DS-062 AIT:A

Kirjeldus: IC DRAM 4G 1600MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B128M32D1NP-062 AAT:A

MT53B128M32D1NP-062 AAT:A

Kirjeldus: IC DRAM 4G 1600MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B128M32D1DS-062 AAT:A

MT53B128M32D1DS-062 AAT:A

Kirjeldus: IC DRAM 4G 1600MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B128M32D1NP-062 AIT:A

MT53B128M32D1NP-062 AIT:A

Kirjeldus: IC DRAM 4G 1600MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B1024M64D8PM-062 WT:D

MT53B1024M64D8PM-062 WT:D

Kirjeldus: IC DRAM 64G 1600MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B128M32D1NP-062 AUT:A TR

MT53B128M32D1NP-062 AUT:A TR

Kirjeldus: IC DRAM 4G 1600MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi