Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Integraallülitused (IC) > Mälu > MT53B256M64D2NL-062 XT:B TR
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
4471765

MT53B256M64D2NL-062 XT:B TR

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1000+
$36.598
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    MT53B256M64D2NL-062 XT:B TR
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg
    -
  • Pinge - varustus
    1.1V
  • Tehnoloogia
    SDRAM - Mobile LPDDR4
  • Seeria
    -
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Muud nimed
    MT53B256M64D2NL-062 XT:B TR-ND
    MT53B256M64D2NL-062XT:BTR
  • Töötemperatuur
    -30°C ~ 105°C (TC)
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Mälu tüüp
    Volatile
  • Mälu suurus
    16Gb (256M x 64)
  • Mäluliides
    -
  • Mäluportaal
    DRAM
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Täpsem kirjeldus
    SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 16Gb (256M x 64) 1600MHz
  • Kellade sagedus
    1600MHz
MT53B256M64D2NK-062 WT:B TR

MT53B256M64D2NK-062 WT:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B256M64D2NK-053 WT:C TR

MT53B256M64D2NK-053 WT:C TR

Kirjeldus: IC DRAM 16G 1866MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B256M64D2NW-062 WT:C

MT53B256M64D2NW-062 WT:C

Kirjeldus: IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B256M64D2NV MS TR

MT53B256M64D2NV MS TR

Kirjeldus: IC SDRAM 16GBIT FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B256M64D2NV-062 XT:C TR

MT53B256M64D2NV-062 XT:C TR

Kirjeldus: IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B256M64D2NL-062 XT ES:C

MT53B256M64D2NL-062 XT ES:C

Kirjeldus: IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B256M64D2NK-062 WT ES:C

MT53B256M64D2NK-062 WT ES:C

Kirjeldus: IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B256M64D2PX-062 XT ES:C

MT53B256M64D2PX-062 XT ES:C

Kirjeldus: IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B256M64D2NK-062 WT:C TR

MT53B256M64D2NK-062 WT:C TR

Kirjeldus: IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B256M64D2NL-062 XT:B

MT53B256M64D2NL-062 XT:B

Kirjeldus: IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B256M64D2NV-062 XT ES:C TR

MT53B256M64D2NV-062 XT ES:C TR

Kirjeldus: IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B256M64D2NK-062 WT:C

MT53B256M64D2NK-062 WT:C

Kirjeldus: IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B256M64D2NW-062 WT ES:C

MT53B256M64D2NW-062 WT ES:C

Kirjeldus: IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B256M64D2NK-053 WT ES:C TR

MT53B256M64D2NK-053 WT ES:C TR

Kirjeldus: IC DRAM 16G 1866MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B256M64D2NV MS

MT53B256M64D2NV MS

Kirjeldus: LPDDR4 16G 1GX16 FBGA DDP

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B256M64D2NL-062 XT:C

MT53B256M64D2NL-062 XT:C

Kirjeldus: IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B256M64D2NK-062 WT ES:C TR

MT53B256M64D2NK-062 WT ES:C TR

Kirjeldus: IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B256M64D2NK-053 WT:C

MT53B256M64D2NK-053 WT:C

Kirjeldus: IC DRAM 16G 1866MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B256M64D2PX-062 XT:C

MT53B256M64D2PX-062 XT:C

Kirjeldus: IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B256M64D2PX-062 XT ES:C TR

MT53B256M64D2PX-062 XT ES:C TR

Kirjeldus: IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi