Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Integraallülitused (IC) > Mälu > MT53B384M16D1Z0AQWC1
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6693016

MT53B384M16D1Z0AQWC1

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$16.49
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    MT53B384M16D1Z0AQWC1
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC SDRAM 6GBIT DIE
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg
    -
  • Pinge - varustus
    1.1V
  • Tehnoloogia
    SDRAM - Mobile LPDDR4
  • Seeria
    -
  • Töötemperatuur
    0°C ~ 85°C (TC)
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Mälu tüüp
    Volatile
  • Mälu suurus
    6Gb (384M x 16)
  • Mäluliides
    -
  • Mäluportaal
    DRAM
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Täpsem kirjeldus
    SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 6Gb (384M x 16)
MT53B2DDNP-DC

MT53B2DDNP-DC

Kirjeldus: SPECIAL/CUSTOM LPDDR4

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B2DBNP-DC TR

MT53B2DBNP-DC TR

Kirjeldus: IC SDRAM LPDDR4 12GBIT 384MX32 F

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B384M32D2DS-062 AAT:B TR

MT53B384M32D2DS-062 AAT:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 12G 1600MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B384M16D1Z0APWC1

MT53B384M16D1Z0APWC1

Kirjeldus: IC SDRAM 6GBIT DIE

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B384M32D2NK-062 WT ES:B

MT53B384M32D2NK-062 WT ES:B

Kirjeldus: IC DRAM 12G 1600MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B384M32D2DS-062 XT:B

MT53B384M32D2DS-062 XT:B

Kirjeldus: IC DRAM 12G 1600MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B384M32D2DS-062 XT:B TR

MT53B384M32D2DS-062 XT:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 12G 1600MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B2G32D8QD-062 WT:D TR

MT53B2G32D8QD-062 WT:D TR

Kirjeldus: LPDDR4 64G 2GX32 FBGA 8DP

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B2G32D8QD-062 WT ES:D

MT53B2G32D8QD-062 WT ES:D

Kirjeldus: LPDDR4 64G 2GX32 FBGA 8DP

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B384M32D2DS-062 AIT:B TR

MT53B384M32D2DS-062 AIT:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 12G 1600MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B384M32D2DS-062 AIT:B

MT53B384M32D2DS-062 AIT:B

Kirjeldus: IC DRAM 12G 1600MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B384M32D2DS-062 AAT:B

MT53B384M32D2DS-062 AAT:B

Kirjeldus: IC DRAM 12G 1600MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B384M16D1NK-062 WT ES:B TR

MT53B384M16D1NK-062 WT ES:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 6G 1600MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B2DDNP-DC TR

MT53B2DDNP-DC TR

Kirjeldus: SPECIAL/CUSTOM LPDDR4

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B2G32D8QD-062 WT ES:D TR

MT53B2G32D8QD-062 WT ES:D TR

Kirjeldus: LPDDR4 64G 2GX32 FBGA 8DP

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B384M32D2DS-062 AUT:B TR

MT53B384M32D2DS-062 AUT:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 12G 1600MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B384M16D1NK-062 WT ES:B

MT53B384M16D1NK-062 WT ES:B

Kirjeldus: IC DRAM 6G 1600MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B384M32D2NK-062 WT ES:B TR

MT53B384M32D2NK-062 WT ES:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 12G 1600MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B2G32D8QD-062 WT:D

MT53B2G32D8QD-062 WT:D

Kirjeldus: LPDDR4 64G 2GX32 FBGA 8DP

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B384M32D2DS-062 AUT:B

MT53B384M32D2DS-062 AUT:B

Kirjeldus: IC DRAM 12G 1600MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi