Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Integraallülitused (IC) > Mälu > MT53B512M32D2DS-062 XT:C
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1380360

MT53B512M32D2DS-062 XT:C

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1360+
$34.445
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    MT53B512M32D2DS-062 XT:C
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC DRAM 16G 1600MHZ
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg
    -
  • Pinge - varustus
    1.1V
  • Tehnoloogia
    SDRAM - Mobile LPDDR4
  • Seeria
    -
  • Muud nimed
    MT53B512M32D2DS-062 XT:C-ND
    MT53B512M32D2DS-062XT:C
  • Töötemperatuur
    -30°C ~ 105°C (TC)
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Mälu tüüp
    Volatile
  • Mälu suurus
    16Gb (512M x 32)
  • Mäluliides
    -
  • Mäluportaal
    DRAM
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Täpsem kirjeldus
    SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 16Gb (512M x 32) 1600MHz
  • Kellade sagedus
    1600MHz
MT53B512M32D2DS-062 AIT:C

MT53B512M32D2DS-062 AIT:C

Kirjeldus: IC DRAM 16G 1600MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B512M16D1Z11NWC1

MT53B512M16D1Z11NWC1

Kirjeldus: LPDDR4 8G DIE 512MX16

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B512M32D2DS-062 AAT:C TR

MT53B512M32D2DS-062 AAT:C TR

Kirjeldus: IC DRAM 16G 1600MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B512M16D1Z11MWC2 MS

MT53B512M16D1Z11MWC2 MS

Kirjeldus: LPDDR4 8G DIE 512MX16

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B512M32D2DS-062 XT:C TR

MT53B512M32D2DS-062 XT:C TR

Kirjeldus: IC DRAM 16G 1600MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B512M32D2NP-053 WT:C TR

MT53B512M32D2NP-053 WT:C TR

Kirjeldus: IC DRAM 16G 1866MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B512M32D2DS-053 AAT:E

MT53B512M32D2DS-053 AAT:E

Kirjeldus: IC DRAM 16G 1866MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B512M32D2GZ-062 WT ES:B

MT53B512M32D2GZ-062 WT ES:B

Kirjeldus: IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B512M32D2NP-053 WT:C

MT53B512M32D2NP-053 WT:C

Kirjeldus: IC DRAM 16G 1866MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B512M32D2GZ-062 WT ES:B TR

MT53B512M32D2GZ-062 WT ES:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B512M32D2GZ-062 AIT:B TR

MT53B512M32D2GZ-062 AIT:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B4DCNQ-DC TR

MT53B4DCNQ-DC TR

Kirjeldus: SPECIAL/CUSTOM LPDDR4

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B512M32D2GZ-062 WT:B TR

MT53B512M32D2GZ-062 WT:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B512M32D2DS-062 AAT:C

MT53B512M32D2DS-062 AAT:C

Kirjeldus: IC DRAM 16G 1600MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B512M16D1Z11MWC1

MT53B512M16D1Z11MWC1

Kirjeldus: LPDDR4 8G DIE 512MX16

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B512M32D2GZ-062 AIT:B

MT53B512M32D2GZ-062 AIT:B

Kirjeldus: IC DRAM 16G 1600MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B512M32D2NP-062 AAT:C

MT53B512M32D2NP-062 AAT:C

Kirjeldus: IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B4DCNY-DC

MT53B4DCNY-DC

Kirjeldus: SPECIAL/CUSTOM LPDDR4

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B512M32D2GZ-062 WT:B

MT53B512M32D2GZ-062 WT:B

Kirjeldus: IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B512M32D2DS-062 AIT:C TR

MT53B512M32D2DS-062 AIT:C TR

Kirjeldus: IC DRAM 16G 1600MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi