Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Integraallülitused (IC) > Mälu > MT53B512M64D4NH-062 WT ES:C
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5262138

MT53B512M64D4NH-062 WT ES:C

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$102.62
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    MT53B512M64D4NH-062 WT ES:C
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA
  • Lead Free status / RoHS staatus
  • Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg
    -
  • Pinge - varustus
    1.1V
  • Tehnoloogia
    SDRAM - Mobile LPDDR4
  • Seeria
    -
  • Muud nimed
    MT53B512M64D4NH-062 WT ES:C-ND
    MT53B512M64D4NH-062WTES:C
  • Töötemperatuur
    -30°C ~ 85°C (TC)
  • Mälu tüüp
    Volatile
  • Mälu suurus
    32Gb (512M x 64)
  • Mäluliides
    -
  • Mäluportaal
    DRAM
  • Juhtiv vaba staatus
    Lead free
  • Täpsem kirjeldus
    SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 32Gb (512M x 64) 1600MHz
  • Kellade sagedus
    1600MHz
MT53B512M64D4EZ-062 WT:C

MT53B512M64D4EZ-062 WT:C

Kirjeldus: IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B512M64D4NH-062 WT ES:C TR

MT53B512M64D4NH-062 WT ES:C TR

Kirjeldus: IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B512M64D4NK-053 WT:C TR

MT53B512M64D4NK-053 WT:C TR

Kirjeldus: IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B512M32D2NP-062 WT:C TR

MT53B512M32D2NP-062 WT:C TR

Kirjeldus: IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B512M64D4EZ-062 WT:B TR

MT53B512M64D4EZ-062 WT:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B512M64D4NK-053 WT ES:C

MT53B512M64D4NK-053 WT ES:C

Kirjeldus: IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B512M64D4EZ-062 WT ES:B TR

MT53B512M64D4EZ-062 WT ES:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B512M32D2NP-062 WT ES:D TR

MT53B512M32D2NP-062 WT ES:D TR

Kirjeldus: IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B512M64D4NH-062 WT:C

MT53B512M64D4NH-062 WT:C

Kirjeldus: IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B512M64D4NK-053 WT:C

MT53B512M64D4NK-053 WT:C

Kirjeldus: IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B512M64D4NJ-062 WT:B TR

MT53B512M64D4NJ-062 WT:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B512M32D2NP-062 WT:D

MT53B512M32D2NP-062 WT:D

Kirjeldus: IC DRAM 16G 1600MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B512M64D4EZ-062 WT:B

MT53B512M64D4EZ-062 WT:B

Kirjeldus: IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B512M64D4EZ-062 WT:C TR

MT53B512M64D4EZ-062 WT:C TR

Kirjeldus: IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B512M64D4NJ-062 WT ES:B TR

MT53B512M64D4NJ-062 WT ES:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B512M32D2NP-062 WT:C

MT53B512M32D2NP-062 WT:C

Kirjeldus: IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B512M64D4NK-053 WT ES:C TR

MT53B512M64D4NK-053 WT ES:C TR

Kirjeldus: IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B512M32D2NP-062 WT:D TR

MT53B512M32D2NP-062 WT:D TR

Kirjeldus: IC DRAM 16G 1600MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B512M64D4NH-062 WT:C TR

MT53B512M64D4NH-062 WT:C TR

Kirjeldus: IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B512M64D4NK-062 WT ES:C

MT53B512M64D4NK-062 WT ES:C

Kirjeldus: IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi