Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Integraallülitused (IC) > Mälu > MT53D256M64D4NY-046 XT:B TR
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
196758

MT53D256M64D4NY-046 XT:B TR

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
2000+
$62.213
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    MT53D256M64D4NY-046 XT:B TR
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC DRAM 16G 2133MHZ
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg
    -
  • Pinge - varustus
    1.1V
  • Tehnoloogia
    SDRAM - Mobile LPDDR4
  • Seeria
    -
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Muud nimed
    MT53D256M64D4NY-046 XT:B TR-ND
    MT53D256M64D4NY-046XT:BTR
  • Töötemperatuur
    -30°C ~ 105°C (TC)
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Mälu tüüp
    Volatile
  • Mälu suurus
    16Gb (256M x 64)
  • Mäluliides
    -
  • Mäluportaal
    DRAM
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Täpsem kirjeldus
    SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 16Gb (256M x 64) 2133MHz
  • Kellade sagedus
    2133MHz
MT53D2G32D8QD-062 WT:D TR

MT53D2G32D8QD-062 WT:D TR

Kirjeldus: LPDDR4 64G 2GX32 FBGA 8DP

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53D2G32D8QD-046 WT ES:E TR

MT53D2G32D8QD-046 WT ES:E TR

Kirjeldus: LPDDR4 64G 2GX32 FBGA 8DP

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53D256M64D4NY-046 XT:B

MT53D256M64D4NY-046 XT:B

Kirjeldus: IC DRAM 16G 2133MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53D256M64D4KA-046 XT:ES B

MT53D256M64D4KA-046 XT:ES B

Kirjeldus: IC DRAM 16G 2133MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53D256M64D4NY-046 XT ES:B TR

MT53D256M64D4NY-046 XT ES:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 16G 2133MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53D256M64D4NY-046 XT ES:B

MT53D256M64D4NY-046 XT ES:B

Kirjeldus: IC DRAM 16G 2133MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53D2DADS-DC

MT53D2DADS-DC

Kirjeldus: SPECIAL/CUSTOM LPDDR4

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53D2G32D8QD-062 WT ES:D

MT53D2G32D8QD-062 WT ES:D

Kirjeldus: LPDDR4 64G 2GX32 FBGA 8DP

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53D256M64D4KA-046 XT:B TR

MT53D256M64D4KA-046 XT:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 16G 2133MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53D256M16D1NY-046 XT ES:B TR

MT53D256M16D1NY-046 XT ES:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 16G 2133MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53D2048M32D8QD-062 WT:D TR

MT53D2048M32D8QD-062 WT:D TR

Kirjeldus: IC DRAM 64G 1600MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53D256M16D1NY-046 XT ES:B

MT53D256M16D1NY-046 XT ES:B

Kirjeldus: IC DRAM 16G 2133MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53D2G32D8QD-053 WT ES:E

MT53D2G32D8QD-053 WT ES:E

Kirjeldus: LPDDR4 64G 1GX64 FBGA 8DP

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53D2G32D8QD-046 WT ES:E

MT53D2G32D8QD-046 WT ES:E

Kirjeldus: LPDDR4 64G 2GX32 FBGA 8DP

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53D2G32D8QD-062 WT:D

MT53D2G32D8QD-062 WT:D

Kirjeldus: LPDDR4 64G 2GX32 FBGA 8DP

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53D256M64D4KA-046 XT:ES B TR

MT53D256M64D4KA-046 XT:ES B TR

Kirjeldus: IC DRAM 16G 2133MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53D256M64D4KA-046 XT:B

MT53D256M64D4KA-046 XT:B

Kirjeldus: IC DRAM 16G 2133MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53D2G32D8QD-062 WT ES:D TR

MT53D2G32D8QD-062 WT ES:D TR

Kirjeldus: LPDDR4 64G 2GX32 FBGA 8DP

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53D2DADS-DC TR

MT53D2DADS-DC TR

Kirjeldus: SPECIAL/CUSTOM LPDDR4

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53D2G32D8QD-053 WT ES:E TR

MT53D2G32D8QD-053 WT ES:E TR

Kirjeldus: LPDDR4 64G 1GX64 FBGA 8DP

Tootjad: Micron Technology
Laos

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi