Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Integraallülitused (IC) > Mälu > MT53D384M32D2DS-053 WT ES:C TR
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
2152834

MT53D384M32D2DS-053 WT ES:C TR

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
2000+
$38.064
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    MT53D384M32D2DS-053 WT ES:C TR
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC DRAM 12G 1866MHZ
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg
    -
  • Pinge - varustus
    1.1V
  • Tehnoloogia
    SDRAM - Mobile LPDDR4
  • Seeria
    -
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Muud nimed
    MT53D384M32D2DS-053 WT ES:C TR-ND
    MT53D384M32D2DS-053WTES:CTR
  • Töötemperatuur
    -30°C ~ 85°C (TC)
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Mälu tüüp
    Volatile
  • Mälu suurus
    12Gb (384M x 32)
  • Mäluliides
    -
  • Mäluportaal
    DRAM
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Täpsem kirjeldus
    SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 12Gb (384M x 32) 1866MHz
  • Kellade sagedus
    1866MHz
MT53D384M32D2DS-046 WT ES:E

MT53D384M32D2DS-046 WT ES:E

Kirjeldus: IC DRAM 12G 2133MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53D384M32D2DS-053 WT ES:E

MT53D384M32D2DS-053 WT ES:E

Kirjeldus: IC DRAM 12G 1866MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53D384M32D2DS-053 XT:E TR

MT53D384M32D2DS-053 XT:E TR

Kirjeldus: IC DRAM 12G 1866MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53D384M32D2DS-053 WT ES:C

MT53D384M32D2DS-053 WT ES:C

Kirjeldus: IC DRAM 12G 1866MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53D384M32D2DS-053 AAT ES:C TR

MT53D384M32D2DS-053 AAT ES:C TR

Kirjeldus: IC DRAM 12G 1866MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53D384M32D2DS-053 AUT:C

MT53D384M32D2DS-053 AUT:C

Kirjeldus: IC DRAM 12G 1866MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53D384M32D2DS-053 AAT ES:C

MT53D384M32D2DS-053 AAT ES:C

Kirjeldus: IC DRAM 12G 1866MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53D384M32D2DS-053 AAT:C TR

MT53D384M32D2DS-053 AAT:C TR

Kirjeldus: IC DRAM 12G 1866MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53D384M64D4FL-046 XT:E

MT53D384M64D4FL-046 XT:E

Kirjeldus: LPDDR4 24G 384MX64 FBGA XT QDP

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53D384M32D2DS-053 AAT:C

MT53D384M32D2DS-053 AAT:C

Kirjeldus: IC DRAM 12G 1866MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53D384M64D4FL-046 XT ES:E

MT53D384M64D4FL-046 XT ES:E

Kirjeldus: LPDDR4 24G 384MX64 FBGA XT QDP

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53D384M64D4FL-046 XT ES:E TR

MT53D384M64D4FL-046 XT ES:E TR

Kirjeldus: LPDDR4 24G 384MX64 FBGA XT QDP

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53D384M32D2DS-053 XT:E

MT53D384M32D2DS-053 XT:E

Kirjeldus: IC DRAM 12G 1866MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53D384M32D2DS-053 AIT:C TR

MT53D384M32D2DS-053 AIT:C TR

Kirjeldus: IC DRAM 12G 1866MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53D384M32D2DS-053 XT:C TR

MT53D384M32D2DS-053 XT:C TR

Kirjeldus: IC DRAM 12G 1866MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53D384M32D2DS-053 WT:C TR

MT53D384M32D2DS-053 WT:C TR

Kirjeldus: IC DRAM 12G 1866MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53D384M32D2DS-053 AUT:C TR

MT53D384M32D2DS-053 AUT:C TR

Kirjeldus: IC DRAM 12G 1866MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53D384M32D2DS-053 AIT:C

MT53D384M32D2DS-053 AIT:C

Kirjeldus: IC DRAM 12G 1866MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53D384M32D2DS-053 WT:C

MT53D384M32D2DS-053 WT:C

Kirjeldus: IC DRAM 12G 1866MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53D384M32D2DS-053 XT:C

MT53D384M32D2DS-053 XT:C

Kirjeldus: IC DRAM 12G 1866MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi