Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Integraallülitused (IC) > Mälu > MT53D512M64D4NW-046 WT:D
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
4625004

MT53D512M64D4NW-046 WT:D

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    MT53D512M64D4NW-046 WT:D
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC DRAM 32G 2133MHZ
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg
    -
  • Pinge - varustus
    1.1V
  • Tehnoloogia
    SDRAM - Mobile LPDDR4
  • Seeria
    -
  • Muud nimed
    MT53D512M64D4NW-046 WT:D-ND
    MT53D512M64D4NW-046WT:D
  • Töötemperatuur
    -30°C ~ 85°C (TC)
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Mälu tüüp
    Volatile
  • Mälu suurus
    32Gb (512M x 64)
  • Mäluliides
    -
  • Mäluportaal
    DRAM
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Täpsem kirjeldus
    SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 32Gb (512M x 64) 2133MHz
  • Kellade sagedus
    2133MHz
MT53D512M64D4CR-053 WT ES:D

MT53D512M64D4CR-053 WT ES:D

Kirjeldus: IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53D512M64D4NW-062 WT ES:D

MT53D512M64D4NW-062 WT ES:D

Kirjeldus: IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53D512M64D4CR-053 WT:D TR

MT53D512M64D4CR-053 WT:D TR

Kirjeldus: IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53D512M64D4NW-053 WT ES:E

MT53D512M64D4NW-053 WT ES:E

Kirjeldus: IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53D512M64D4NW-046 WT:D TR

MT53D512M64D4NW-046 WT:D TR

Kirjeldus: IC DRAM 32G 2133MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53D512M64D4NW-053 WT:D

MT53D512M64D4NW-053 WT:D

Kirjeldus: IC DRAM 32G 1866MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53D512M64D4CR-053 WT ES:D TR

MT53D512M64D4CR-053 WT ES:D TR

Kirjeldus: IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53D512M64D4NW-046 WT ES:E TR

MT53D512M64D4NW-046 WT ES:E TR

Kirjeldus: IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53D512M64D4NW-062 WT ES:D TR

MT53D512M64D4NW-062 WT ES:D TR

Kirjeldus: IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53D512M64D4NW-053 WT ES:D

MT53D512M64D4NW-053 WT ES:D

Kirjeldus: IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53D512M64D4NW-053 WT:D TR

MT53D512M64D4NW-053 WT:D TR

Kirjeldus: IC DRAM 32G 1866MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53D512M64D4NW-053 WT ES:D TR

MT53D512M64D4NW-053 WT ES:D TR

Kirjeldus: IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53D512M64D4NW-053 WT ES:E TR

MT53D512M64D4NW-053 WT ES:E TR

Kirjeldus: IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53D512M64D4NW-046 WT ES:D

MT53D512M64D4NW-046 WT ES:D

Kirjeldus: IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53D512M64D4HR-053 WT:D

MT53D512M64D4HR-053 WT:D

Kirjeldus: IC DRAM 32G 1866MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53D512M64D4NW-062 WT:D

MT53D512M64D4NW-062 WT:D

Kirjeldus: IC DRAM 32G 1600MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53D512M64D4HR-053 WT ES:D

MT53D512M64D4HR-053 WT ES:D

Kirjeldus: IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53D512M64D4CR-053 WT:D

MT53D512M64D4CR-053 WT:D

Kirjeldus: IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53D512M64D4BP-046 WT:E TR

MT53D512M64D4BP-046 WT:E TR

Kirjeldus: IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53D512M64D4NW-046 WT ES:E

MT53D512M64D4NW-046 WT ES:E

Kirjeldus: IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi