Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Integraallülitused (IC) > Mälu > MT53D512M64D4SB-046 XT ES:E TR
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
4557463

MT53D512M64D4SB-046 XT ES:E TR

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
2000+
$124.472
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    MT53D512M64D4SB-046 XT ES:E TR
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA
  • Lead Free status / RoHS staatus
  • Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg
    -
  • Pinge - varustus
    1.1V
  • Tehnoloogia
    SDRAM - Mobile LPDDR4
  • Seeria
    -
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Muud nimed
    MT53D512M64D4SB-046 XT ES:E TR-ND
    MT53D512M64D4SB-046XTES:ETR
  • Töötemperatuur
    -30°C ~ 105°C (TC)
  • Mälu tüüp
    Volatile
  • Mälu suurus
    32Gb (512M x 64)
  • Mäluliides
    -
  • Mäluportaal
    DRAM
  • Juhtiv vaba staatus
    Lead free
  • Täpsem kirjeldus
    SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 32Gb (512M x 64) 2133MHz
  • Kellade sagedus
    2133MHz
MT53D512M64D4RQ-053 WT:E

MT53D512M64D4RQ-053 WT:E

Kirjeldus: IC DRAM 32G 1866MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53D512M64D8TZ-053 WT:B TR

MT53D512M64D8TZ-053 WT:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 32G 1866MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53D512M64D4SB-046 XT:D TR

MT53D512M64D4SB-046 XT:D TR

Kirjeldus: IC DRAM 32G 2133MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53D512M64D4RQ-053 WT ES:E

MT53D512M64D4RQ-053 WT ES:E

Kirjeldus: IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53D512M64D8TZ-053 WT ES:B

MT53D512M64D8TZ-053 WT ES:B

Kirjeldus: IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E

MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E

Kirjeldus: IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53D512M64D4RQ-053 WT:E TR

MT53D512M64D4RQ-053 WT:E TR

Kirjeldus: IC DRAM 32G 1866MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53D512M64D4RQ-053 WT ES:E TR

MT53D512M64D4RQ-053 WT ES:E TR

Kirjeldus: IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53D512M64D4SB-046 XT:D

MT53D512M64D4SB-046 XT:D

Kirjeldus: IC DRAM 32G 2133MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53D512M64D4RQ-046 WT:E TR

MT53D512M64D4RQ-046 WT:E TR

Kirjeldus: IC DRAM 32G 2133MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53D512M64D8HR-053 WT ES:B TR

MT53D512M64D8HR-053 WT ES:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53D512M64D4SB-046 XT ES:E

MT53D512M64D4SB-046 XT ES:E

Kirjeldus: IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53D512M64D4SB-046 XT:E

MT53D512M64D4SB-046 XT:E

Kirjeldus: IC DRAM 32G 2133MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53D512M64D4RQ-046 WT:E

MT53D512M64D4RQ-046 WT:E

Kirjeldus: IC DRAM 32G 2133MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E TR

MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E TR

Kirjeldus: IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53D512M64D8TZ-053 WT:B

MT53D512M64D8TZ-053 WT:B

Kirjeldus: IC DRAM 32G 1866MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53D512M64D8HR-053 WT:B

MT53D512M64D8HR-053 WT:B

Kirjeldus: IC DRAM 32G 1866MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53D512M64D4NZ-053 WT:D TR

MT53D512M64D4NZ-053 WT:D TR

Kirjeldus: IC DRAM 32G 1866MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53D512M64D8HR-053 WT ES:B

MT53D512M64D8HR-053 WT ES:B

Kirjeldus: IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53D512M64D8TZ-053 WT ES:B TR

MT53D512M64D8TZ-053 WT ES:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi