1819380

1N5187US

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos

103+

$9.518

Päring veebis

Spetsifikatsioonid

Osa number

1N5187US
Tootja / bränd

Microsemi
Varukogus

Laos
Kirjeldus

DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL
Lead Free status / RoHS staatus

Sisaldab plii / RoHS mittevastavat
Andmelehed

1N5187US.pdf
Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui

1.5V @ 9A
Pinge - DC reverse (Vr) (max)

200V
Pakkuja seadme pakett

-
Kiirus

Fast Recovery = 200mA (Io)
Seeria

-
Pöörde taastamise aeg (trr)

200ns
Pakend

Bulk
Pakett / kott

B, Axial
Töötemperatuur - ühenduskoht

-65°C ~ 175°C
Paigaldus tüüp

Through Hole
Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)
Lead Free status / RoHS staatus

Contains lead / RoHS non-compliant
Diode tüüp

Standard
Täpsem kirjeldus

Diode Standard 200V 3A Through Hole
Praegune - tagasikäik @ Vr

2µA @ 200V
Jooksev - keskmine parandatud (Io)

3A
Mahtuvus @ Vr, F

-

Järgnev on "1N5187US" seotud tooted.

1N5062TAP

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 800V 2A SOD57

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

RFQ

1N5187

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N5181

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 4KV 100MA AXIAL

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N5188US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N5196

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 225V 200MA DO35

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N5195

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 180V 200MA DO35

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N5194

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 70V 200MA DO35

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N5186

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N5195UR

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 180V 200MA DO213

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N5062GPHE3/73

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

RFQ

1N5062TR

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 800V 2A SOD57

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

RFQ

1N5188

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N5189

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 500V 3A AXIAL

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N5186US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N5183

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 7.5KV 100MA AXIAL

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N5184

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 10KV 100MA SAXIAL

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N5190

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N5189US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 500V 3A D5B

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N5182

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 5KV 100MA AXIAL

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N5194UR

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 70V 200MA DO213AA

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Eelregistreerimine

1N5187US

Küsi hinnapakkumist

võrdlushind (USA dollarites)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

1N5062TAP

1N5187

1N5181

1N5188US

1N5196

1N5195

1N5194

1N5186

1N5195UR

1N5062GPHE3/73

1N5062TR

1N5188

1N5189

1N5186US

1N5183

1N5184

1N5190

1N5189US

1N5182

1N5194UR

Vali keel

Praegune keel