1N5419US

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos

100+

$11.031

Päring veebis

Spetsifikatsioonid

Osa number

1N5419US
Tootja / bränd

Microsemi
Varukogus

Laos
Kirjeldus

DIODE GEN PURP 500V 3A D5B
Lead Free status / RoHS staatus

Sisaldab plii / RoHS mittevastavat
Andmelehed

1N5419US.pdf
Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui

1.5V @ 9A
Pinge - DC reverse (Vr) (max)

500V
Pakkuja seadme pakett

D-5B
Kiirus

Fast Recovery = 200mA (Io)
Seeria

-
Pöörde taastamise aeg (trr)

250ns
Pakend

Bulk
Pakett / kott

E-MELF
Töötemperatuur - ühenduskoht

-65°C ~ 175°C
Paigaldus tüüp

Surface Mount
Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)
Tootja Standardne pliiaeg

7 Weeks
Lead Free status / RoHS staatus

Contains lead / RoHS non-compliant
Diode tüüp

Standard
Täpsem kirjeldus

Diode Standard 500V 3A Surface Mount D-5B
Praegune - tagasikäik @ Vr

1µA @ 500V
Jooksev - keskmine parandatud (Io)

3A
Mahtuvus @ Vr, F

-

Järgnev on "1N5419US" seotud tooted.

1N5419

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 500V 4.5A AXIAL

Tootjad: Semtech

Laos

RFQ

1N5418

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 3A B-MELF

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N5419

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 500V 3A B-MELF

Tootjad: Microsemi Corporation

Laos

RFQ

1N5520B (DO35)

Kirjeldus: DIODE ZENER 3.9V 500MW DO35

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N5420

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 4.5A AXIAL

Tootjad: Semtech

Laos

RFQ

1N5519BUR-1

Kirjeldus: ZENER DIODE

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N5520BUR-1

Kirjeldus: ZENER DIODE

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N5518B (DO35)

Kirjeldus: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N5418TR

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 400V 3A SOD64

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

RFQ

1N5417US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 3A D5B

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N5418C.TR

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 4.5A AXIAL

Tootjad: Semtech

Laos

RFQ

1N5420

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N5417TR

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

RFQ

1N5418-TAP

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 400V 3A SOD64

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

RFQ

1N5521B (DO35)

Kirjeldus: DIODE ZENER 4.3V 500MW DO35

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N5418US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 3A D5B

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N5419E3

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 500V 3A AXIAL

Tootjad: Microsemi Corporation

Laos

RFQ

1N5420US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 3A D5B

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N5518BUR-1

Kirjeldus: ZENER DIODE

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N5519B (DO35)

Kirjeldus: DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Eelregistreerimine

1N5419US

Küsi hinnapakkumist

võrdlushind (USA dollarites)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

1N5419

1N5418

1N5419

1N5520B (DO35)

1N5420

1N5519BUR-1

1N5520BUR-1

1N5518B (DO35)

1N5418TR

1N5417US

1N5418C.TR

1N5420

1N5417TR

1N5418-TAP

1N5521B (DO35)

1N5418US

1N5419E3

1N5420US

1N5518BUR-1

1N5519B (DO35)

Vali keel

Praegune keel