Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > 1N5618US
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6685101

1N5618US

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$8.58
10+
$7.725
100+
$6.352
500+
$5.322
1000+
$4.635
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    1N5618US
  • Tootja / bränd
    Microsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 600V 1A D5A
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Sisaldab plii / RoHS mittevastavat
  • Andmelehed
    1N5618US.pdf
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    1.3V @ 3A
  • Pinge - DC reverse (Vr) (max)
    600V
  • Pakkuja seadme pakett
    D-5A
  • Kiirus
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Seeria
    -
  • Pöörde taastamise aeg (trr)
    2µs
  • Pakend
    Bulk
  • Pakett / kott
    SQ-MELF, A
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    -65°C ~ 200°C
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    7 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diode tüüp
    Standard
  • Täpsem kirjeldus
    Diode Standard 600V 1A Surface Mount D-5A
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    500nA @ 600V
  • Jooksev - keskmine parandatud (Io)
    1A
  • Mahtuvus @ Vr, F
    -

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "1N5618US" seotud tooted.
1N5620US

1N5620US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
1N5617GPHE3/54

1N5617GPHE3/54

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N5619US

1N5619US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
1N5620GPHE3/73

1N5620GPHE3/73

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
1N5618

1N5618

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
1N5620C.TR

1N5620C.TR

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Tootjad: Semtech
Laos
RFQ
1N5617

1N5617

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
1N5620

1N5620

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
1N5619GP-E3/54

1N5619GP-E3/54

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N5617C.TR

1N5617C.TR

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 2A AXIAL

Tootjad: Semtech
Laos
RFQ
1N5616US

1N5616US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
1N5617GP-E3/54

1N5617GP-E3/54

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N5619GPHE3/54

1N5619GPHE3/54

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N5618GP-E3/54

1N5618GP-E3/54

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
1N5618GPHE3/54

1N5618GPHE3/54

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N5619

1N5619

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
1N5620GPHE3/54

1N5620GPHE3/54

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N5617GP-E3/73

1N5617GP-E3/73

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N5619GP-E3/73

1N5619GP-E3/73

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A DO201AD

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N5617US

1N5617US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.