Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > 1N5807US
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
17283491N5807US piltMicrosemi

1N5807US

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
117+
$8.353
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    1N5807US
  • Tootja / bränd
    Microsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 50V 3A B-MELF
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Sisaldab plii / RoHS mittevastavat
  • Andmelehed
    1N5807US.pdf
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    875mV @ 4A
  • Pinge - DC reverse (Vr) (max)
    50V
  • Pakkuja seadme pakett
    B, SQ-MELF
  • Kiirus
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seeria
    -
  • Pöörde taastamise aeg (trr)
    30ns
  • Pakend
    Bulk
  • Pakett / kott
    SQ-MELF, B
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    -65°C ~ 175°C
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diode tüüp
    Standard
  • Täpsem kirjeldus
    Diode Standard 50V 3A Surface Mount B, SQ-MELF
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    5µA @ 50V
  • Jooksev - keskmine parandatud (Io)
    3A
  • Mahtuvus @ Vr, F
    60pF @ 10V, 1MHz

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "1N5807US" seotud tooted.
1N5809US

1N5809US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 6A

Tootjad: Semtech
Laos
RFQ
1N5811TR

1N5811TR

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
1N5806US

1N5806US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 1A D5A

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
1N5807

1N5807

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 6A AXIAL

Tootjad: Semtech
Laos
RFQ
1N5807

1N5807

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
1N5808

1N5808

Kirjeldus: DIODE RECT ULT FAST REC B-PKG

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
1N5804US

1N5804US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 1A D5A

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
1N5804

1N5804

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
1N5811

1N5811

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL

Tootjad: Semtech
Laos
RFQ
1N5809US

1N5809US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
1N5806C.TR

1N5806C.TR

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL

Tootjad: Semtech
Laos
RFQ
1N5805

1N5805

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 125V 1A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
1N5807US

1N5807US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 6A

Tootjad: Semtech
Laos
RFQ
1N5809

1N5809

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
1N5811C.TR

1N5811C.TR

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL

Tootjad: Semtech
Laos
RFQ
1N5809

1N5809

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 6A AXIAL

Tootjad: Semtech
Laos
RFQ
1N5809US.TR

1N5809US.TR

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 6A

Tootjad: Semtech
Laos
RFQ
1N5806TR

1N5806TR

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
1N5806US

1N5806US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 1.1A

Tootjad: Semtech
Laos
RFQ
1N5804US

1N5804US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 1.1A

Tootjad: Semtech
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.