5182021

1N5812

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos

100+

$45.871

Päring veebis

Spetsifikatsioonid

Osa number

1N5812
Tootja / bränd

Microsemi
Varukogus

Laos
Kirjeldus

DIODE GEN PURP 50V 20A DO203AA
Lead Free status / RoHS staatus

Sisaldab plii / RoHS mittevastavat
Andmelehed

1N5812.pdf
Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui

950mV @ 20A
Pinge - DC reverse (Vr) (max)

50V
Pakkuja seadme pakett

DO-203AA
Kiirus

Fast Recovery = 200mA (Io)
Seeria

-
Pöörde taastamise aeg (trr)

15ns
Pakend

Bulk
Pakett / kott

DO-203AA, DO-4, Stud
Töötemperatuur - ühenduskoht

-65°C ~ 175°C
Paigaldus tüüp

Stud Mount
Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)
Lead Free status / RoHS staatus

Contains lead / RoHS non-compliant
Diode tüüp

Standard
Täpsem kirjeldus

Diode Standard 50V 20A Stud Mount DO-203AA
Praegune - tagasikäik @ Vr

10µA @ 50V
Jooksev - keskmine parandatud (Io)

20A
Mahtuvus @ Vr, F

300pF @ 10V, 1MHz

Järgnev on "1N5812" seotud tooted.

1N5809

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 6A AXIAL

Tootjad: Semtech

Laos

RFQ

1N5816

Kirjeldus: RECTIFIER DIODE

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N5811US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 3A B-MELF

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N5811US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 6A

Tootjad: Semtech

Laos

RFQ

1N5815

Kirjeldus: RECTIFIER DIODE

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N5809

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N5811

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL

Tootjad: Semtech

Laos

RFQ

1N5813R

Kirjeldus: RECTIFIER DIODE

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N5809US.TR

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 6A

Tootjad: Semtech

Laos

RFQ

1N5813

Kirjeldus: RECTIFIER DIODE

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N5811C.TR

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL

Tootjad: Semtech

Laos

RFQ

1N5811TR

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N5817

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 20V 1A DO41

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Laos

RFQ

1N5809US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 6A

Tootjad: Semtech

Laos

RFQ

1N5814R

Kirjeldus: RECTIFIER DIODE

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N5814

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N5812R

Kirjeldus: RECTIFIER DIODE

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N5809US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N5815R

Kirjeldus: RECTIFIER DIODE

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N5816R

Kirjeldus: RECTIFIER DIODE

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Eelregistreerimine

1N5812

Küsi hinnapakkumist

võrdlushind (USA dollarites)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

1N5809

1N5816

1N5811US

1N5811US

1N5815

1N5809

1N5811

1N5813R

1N5809US.TR

1N5813

1N5811C.TR

1N5811TR

1N5817

1N5809US

1N5814R

1N5814

1N5812R

1N5809US

1N5815R

1N5816R

Vali keel

Praegune keel