1N6075US

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos

100+

$16.779

Päring veebis

Spetsifikatsioonid

Osa number

1N6075US
Tootja / bränd

Microsemi
Varukogus

Laos
Kirjeldus

DIODE GEN PURP 150V 3A D5A
Lead Free status / RoHS staatus

Sisaldab plii / RoHS mittevastavat
Andmelehed

1N6075US.pdf
Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui

2.04V @ 9.4A
Pinge - DC reverse (Vr) (max)

150V
Pakkuja seadme pakett

D-5A
Kiirus

Fast Recovery = 200mA (Io)
Seeria

-
Pöörde taastamise aeg (trr)

30ns
Pakend

Bulk
Pakett / kott

SQ-MELF, A
Töötemperatuur - ühenduskoht

-65°C ~ 155°C
Paigaldus tüüp

Surface Mount
Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)
Tootja Standardne pliiaeg

7 Weeks
Lead Free status / RoHS staatus

Contains lead / RoHS non-compliant
Diode tüüp

Standard
Täpsem kirjeldus

Diode Standard 150V 3A Surface Mount D-5A
Praegune - tagasikäik @ Vr

1µA @ 150V
Jooksev - keskmine parandatud (Io)

3A
Mahtuvus @ Vr, F

-

Järgnev on "1N6075US" seotud tooted.

1N6079

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 5A AXIAL

Tootjad: Semtech

Laos

RFQ

1N6071

Kirjeldus: TVS DIODE 165V 308V DO13

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N6073

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 850MA AXIAL

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N6077US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 6A D5B

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N6078

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 1.3A AXIAL

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N6073US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 3A D5A

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N6078US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 6A D5B

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N6076US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 6A D5B

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N6077

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 1.3A AXIAL

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N6074US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 3A D5A

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N6075

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 850MA AXIAL

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N6079

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 2A AXIAL

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N6079US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 2A G-MELF

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N6072

Kirjeldus: TVS DIODE 175V 344V DO13

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N6080

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 2A AXIAL

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N6074

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 850MA AXIAL

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N6072A

Kirjeldus: TVS DIODE 185VWM 328VC DO13

Tootjad: Microsemi Corporation

Laos

RFQ

1N6076

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 1.3A AXIAL

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N6070A

Kirjeldus: TVS DIODE 160VWM 278VC DO13

Tootjad: Microsemi Corporation

Laos

RFQ

1N6071A

Kirjeldus: TVS DIODE 170V 294V DO13

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Eelregistreerimine

1N6075US

Küsi hinnapakkumist

võrdlushind (USA dollarites)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

1N6079

1N6071

1N6073

1N6077US

1N6078

1N6073US

1N6078US

1N6076US

1N6077

1N6074US

1N6075

1N6079

1N6079US

1N6072

1N6080

1N6074

1N6072A

1N6076

1N6070A

1N6071A

Vali keel

Praegune keel