Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > 1N6625E3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
9595141N6625E3 piltMicrosemi Corporation

1N6625E3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$21.80
10+
$20.165
25+
$18.53
100+
$17.222
250+
$15.805
500+
$15.042
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    1N6625E3
  • Tootja / bränd
    Microsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Pinge - Peak Reverse (Max)
    Standard
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    1A
  • Pinge - jaotus
    A, Axial
  • Seeria
    -
  • RoHS staatus
    Bulk
  • Pöörde taastamise aeg (trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Resistentsus @ Kui, F
    -
  • Polarisatsioon
    A, Axial
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    80ns
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Partii number
    1N6625E3
  • Laiendatud kirjeldus
    Diode Standard 1100V (1.1kV) 1A Through Hole A, Axial
  • Dioodide seadistamine
    1µA @ 1000V
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    1.95V @ 1.5A
  • Jooksev - Keskmine puhastatud (Io) (ühe dioodi kohta)
    1100V (1.1kV)
  • Mahtuvus @ Vr, F
    -65°C ~ 150°C

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "1N6625E3" seotud tooted.
1N6629

1N6629

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 880V 1.4A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
1N6625US

1N6625US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.1KV 1A A-MELF

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
1N6625

1N6625

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
1N6630

1N6630

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 990V 1.4A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
1N6627

1N6627

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 440V 1.75A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
1N6628

1N6628

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1.75A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
1N6626

1N6626

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 220V 1.75A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
1N6628US

1N6628US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 660V 1.75A A-MELF

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
1N6620US

1N6620US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 220V 1.2A A-MELF

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
1N6622

1N6622

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1.2A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
1N6627US

1N6627US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 440V 1.75A A-MELF

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
1N6629US

1N6629US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 880V 1.4A A-MELF

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
1N6623

1N6623

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 880V 1A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
1N6622US

1N6622US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 660V 1.2A A-MELF

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
1N6624US

1N6624US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 990V 1A A-MELF

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
1N6621US

1N6621US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 440V 1.2A A-MELF

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
1N6624

1N6624

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 990V 1A A-PAK

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
1N6623US

1N6623US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 880V 1A A-MELF

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
1N6626US

1N6626US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 220V 1.75A A-MELF

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
1N6621

1N6621

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 440V 1.2A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.