Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > APT1001RBN
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6028895

APT1001RBN

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    APT1001RBN
  • Tootja / bränd
    Microsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 1000V 11A TO247AD
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    APT1001RBN.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (max)
    ±30V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-247AD
  • Seeria
    POWER MOS IV®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1 Ohm @ 5.5A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    310W (Tc)
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-247-3
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    2950pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    130nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    1000V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 1000V 11A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-247AD
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    11A (Tc)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "APT1001RBN" seotud tooted.
APT06DC60HJ

APT06DC60HJ

Kirjeldus: DIODE SIC SCHOTTKY 600V SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT10035LLLG

APT10035LLLG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
RFQ
APT10045JLL

APT10045JLL

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT10078BLLG

APT10078BLLG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT1001R1BN

APT1001R1BN

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 10.5A TO247AD

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT-CNOC

APT-CNOC

Kirjeldus: PANEL THERMOSTAT NO COOL CEL 10A

Tootjad: Altech Corporation
Laos
RFQ
APT10078SLLG

APT10078SLLG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT10021JLL

APT10021JLL

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT10021JFLL

APT10021JFLL

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT10035JLL

APT10035JLL

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT1002RBNG

APT1002RBNG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 8A TO247AD

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT10090BFLLG

APT10090BFLLG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
RFQ
APT10045B2LLG

APT10045B2LLG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 23A T-MAX

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT1003RKLLG

APT1003RKLLG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT10035B2FLLG

APT10035B2FLLG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
RFQ
APT-HNCC

APT-HNCC

Kirjeldus: PANEL THERMOSTAT NC HEAT CELSIUS

Tootjad: Altech Corporation
Laos
RFQ
APT10035B2LLG

APT10035B2LLG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT-CNOF

APT-CNOF

Kirjeldus: PANEL THERMOSTAT NO COOL FAHRENH

Tootjad: Altech Corporation
Laos
RFQ
APT-HNCF

APT-HNCF

Kirjeldus: PANEL THERMOSTAT NC HEAT FAHRENH

Tootjad: Altech Corporation
Laos
RFQ
APT1003RBLLG

APT1003RBLLG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.