Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - massiivid > APT100S20LCTG
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5103347APT100S20LCTG piltMicrosemi

APT100S20LCTG

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$13.50
25+
$11.353
100+
$10.433
500+
$8.898
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    APT100S20LCTG
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO264
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
  • ECAD -mudel
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    950mV @ 100A
  • Pinge - DC reverse (Vr) (max)
    200V
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-264 [L]
  • Kiirus
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seeria
    -
  • Pöörde taastamise aeg (trr)
    70ns
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-264-3, TO-264AA
  • Muud nimed
    APT100S20LCTGMI
    APT100S20LCTGMI-ND
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    -55°C ~ 150°C
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    26 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tüüp
    Schottky
  • Dioodide seadistamine
    1 Pair Common Cathode
  • Täpsem kirjeldus
    Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 200V 120A Through Hole TO-264-3, TO-264AA
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    2mA @ 200V
  • Jooksev - Keskmine puhastatud (Io) (ühe dioodi kohta)
    120A
APT102GA60B2

APT102GA60B2

Kirjeldus: IGBT 600V 183A 780W TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT100GT120JRDQ4

APT100GT120JRDQ4

Kirjeldus: IGBT 1200V 123A 570W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT102GA60L

APT102GA60L

Kirjeldus: IGBT 600V 183A 780W TO264

Tootjad: Microsemi
Laos
APT100S20BG

APT100S20BG

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT10M09B2VFRG

APT10M09B2VFRG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Tootjad: Microsemi
Laos
APT100GT120JR

APT100GT120JR

Kirjeldus: IGBT 1200V 123A 570W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT10M11JVRU3

APT10M11JVRU3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT10M11JVR

APT10M11JVR

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP

Tootjad: Microsemi
Laos
APT100GT60JR

APT100GT60JR

Kirjeldus: IGBT 600V 148A 500W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT10M11B2VFRG

APT10M11B2VFRG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Tootjad: Microsemi
Laos
APT100GT120JU3

APT100GT120JU3

Kirjeldus: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT10DC120HJ

APT10DC120HJ

Kirjeldus: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT100GT60B2RG

APT100GT60B2RG

Kirjeldus: IGBT 600V 148A 500W SOT247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT106N60B2C6

APT106N60B2C6

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 106A TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT100MC120JCU2

APT100MC120JCU2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP

Tootjad: Microsemi
Laos
APT100GT120JU2

APT100GT120JU2

Kirjeldus: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT100GT60JRDQ4

APT100GT60JRDQ4

Kirjeldus: IGBT 600V 148A 500W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT100M50J

APT100M50J

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT10M11JVRU2

APT10M11JVRU2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT10M07JVR

APT10M07JVR

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP

Tootjad: Microsemi
Laos

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi