Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > APT10SCD120B
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
30402APT10SCD120B piltMicrosemi

APT10SCD120B

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    APT10SCD120B
  • Tootja / bränd
    Microsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    1.8V @ 10A
  • Pinge - DC reverse (Vr) (max)
    1200V
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-247
  • Kiirus
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Seeria
    -
  • Pöörde taastamise aeg (trr)
    0ns
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-247-2
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    -55°C ~ 150°C
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tüüp
    Silicon Carbide Schottky
  • Täpsem kirjeldus
    Diode Silicon Carbide Schottky 1200V 36A (DC) Through Hole TO-247
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    200µA @ 1200V
  • Jooksev - keskmine parandatud (Io)
    36A (DC)
  • Mahtuvus @ Vr, F
    600pF @ 0V, 1MHz

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "APT10SCD120B" seotud tooted.
APT10SCD65KCT

APT10SCD65KCT

Kirjeldus: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT10M11JVRU3

APT10M11JVRU3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT11N80BC3G

APT11N80BC3G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 11A TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT10DC120HJ

APT10DC120HJ

Kirjeldus: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT11F80S

APT11F80S

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT10M11B2VFRG

APT10M11B2VFRG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT10M11JVR

APT10M11JVR

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT11GF120KRG

APT11GF120KRG

Kirjeldus: IGBT 1200V 25A 156W TO220

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT10M11JVRU2

APT10M11JVRU2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT102GA60B2

APT102GA60B2

Kirjeldus: IGBT 600V 183A 780W TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT10SCD120K

APT10SCD120K

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT106N60B2C6

APT106N60B2C6

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 106A TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT10SCD120BCT

APT10SCD120BCT

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT102GA60L

APT102GA60L

Kirjeldus: IGBT 600V 183A 780W TO264

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT11GF120BRDQ1G

APT11GF120BRDQ1G

Kirjeldus: IGBT 1200V 25A 156W TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT11F80B

APT11F80B

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 12A TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT10M09B2VFRG

APT10M09B2VFRG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT10SCD65K

APT10SCD65K

Kirjeldus: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT10M07JVR

APT10M07JVR

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT11GP60BDQBG

APT11GP60BDQBG

Kirjeldus: IGBT 600V 41A 187W TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.