Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > APT11N80KC3G
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6251547

APT11N80KC3G

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    APT11N80KC3G
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 800V 11A TO-220
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3.9V @ 680µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-220 [K]
  • Seeria
    CoolMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    450 mOhm @ 7.1A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    156W (Tc)
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-220-3
  • Muud nimed
    APT11N80KC3GMI
    APT11N80KC3GMI-ND
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    1585pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    60nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    800V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 800V 11A (Tc) 156W (Tc) Through Hole TO-220 [K]
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    11A (Tc)
APT11N80BC3G

APT11N80BC3G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 11A TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT10SCD65K

APT10SCD65K

Kirjeldus: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Tootjad: Microsemi
Laos
APT11F80S

APT11F80S

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK

Tootjad: Microsemi
Laos
APT12067B2FLLG

APT12067B2FLLG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
APT12031JFLL

APT12031JFLL

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT12057B2FLLG

APT12057B2FLLG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
APT1201R4BFLLG

APT1201R4BFLLG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT1204R7BFLLG

APT1204R7BFLLG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT12057LFLLG

APT12057LFLLG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1200V 22A TO-264

Tootjad: Microsemi
Laos
APT11GF120BRDQ1G

APT11GF120BRDQ1G

Kirjeldus: IGBT 1200V 25A 156W TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT12067B2LLG

APT12067B2LLG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX

Tootjad: Microsemi
Laos
APT11GF120KRG

APT11GF120KRG

Kirjeldus: IGBT 1200V 25A 156W TO220

Tootjad: Microsemi
Laos
APT10SCD120BCT

APT10SCD120BCT

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT1204R7KFLLG

APT1204R7KFLLG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-220

Tootjad: Microsemi
Laos
APT12057B2LLG

APT12057B2LLG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX

Tootjad: Microsemi
Laos
APT10SCD120K

APT10SCD120K

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220

Tootjad: Microsemi
Laos
APT12057JLL

APT12057JLL

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1200V 19A SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT10SCD65KCT

APT10SCD65KCT

Kirjeldus: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Tootjad: Microsemi
Laos
APT11GP60BDQBG

APT11GP60BDQBG

Kirjeldus: IGBT 600V 41A 187W TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT11F80B

APT11F80B

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 12A TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi