Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > APT13F120B
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5261634APT13F120B piltMicrosemi

APT13F120B

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$12.95
30+
$10.894
120+
$10.01
510+
$8.538
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    APT13F120B
  • Tootja / bränd
    Microsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 1200V 14A TO247
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    1.APT13F120B.pdf
    2.APT13F120B.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 1mA
  • Vgs (max)
    ±30V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-247 [B]
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.4 Ohm @ 7A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    625W (Tc)
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-247-3
  • Muud nimed
    APT13F120BMI
    APT13F120BMI-ND
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    21 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    4765pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    145nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    1200V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 1200V 14A (Tc) 625W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    14A (Tc)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "APT13F120B" seotud tooted.
APT14F100S

APT14F100S

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT13005DTF-G1

APT13005DTF-G1

Kirjeldus: TRANS NPN 450V 4A

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
APT13005SU-G1

APT13005SU-G1

Kirjeldus: TRANS NPN 450V 3.2A TO126

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
APT14M100S

APT14M100S

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT14M120B

APT14M120B

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1200V 14A TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT13GP120KG

APT13GP120KG

Kirjeldus: IGBT 1200V 41A 250W TO220

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT13GP120BDQ1G

APT13GP120BDQ1G

Kirjeldus: IGBT 1200V 41A 250W TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT13005DT-G1

APT13005DT-G1

Kirjeldus: TRANS NPN 450V 4A

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
APT13005STF-G1

APT13005STF-G1

Kirjeldus: TRANS NPN 450V 3.2A TO220

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
APT130SM70B

APT130SM70B

Kirjeldus: MOSFET N-CH 700V TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT13005SI-G1

APT13005SI-G1

Kirjeldus: TRANS NPN 450V 3.2A TO251

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
APT13005T-G1

APT13005T-G1

Kirjeldus: TRANS NPN 450V 4A TO220AB

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
APT13005TF-G1

APT13005TF-G1

Kirjeldus: TRANS NPN 450V 4A TO220-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
APT13GP120BG

APT13GP120BG

Kirjeldus: IGBT 1200V 41A 250W TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT130SM70J

APT130SM70J

Kirjeldus: MOSFET N-CH 700V SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT14050JVFR

APT14050JVFR

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1400V 23A SOT-227

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT14M100B

APT14M100B

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT13005DI-G1

APT13005DI-G1

Kirjeldus: TRANS NPN 450V 4A

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
APT13F120S

APT13F120S

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1200V 14A D3PAK

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT14F100B

APT14F100B

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.