Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - IGBT - moodulid > APT150GN60JDQ4
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6736017APT150GN60JDQ4 piltMicrosemi

APT150GN60JDQ4

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$35.90
10+
$33.211
30+
$30.518
100+
$28.364
250+
$26.03
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    APT150GN60JDQ4
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IGBT 600V 220A 536W SOT227
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
  • Pinge - koguja emitteri jaotus (max)
    600V
  • Vce (sees) (Max) @ Vge, Ic
    1.85V @ 15V, 150A
  • Pakkuja seadme pakett
    ISOTOP®
  • Seeria
    -
  • Võimsus - maks
    536W
  • Pakett / kott
    ISOTOP
  • Muud nimed
    APT150GN60JDQ4MI
    APT150GN60JDQ4MI-ND
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • NTC termistor
    No
  • Paigaldus tüüp
    Chassis Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    32 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Cies) @ Vce
    9.2nF @ 25V
  • Sisend
    Standard
  • IGBT tüüp
    Trench Field Stop
  • Täpsem kirjeldus
    IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 220A 536W Chassis Mount ISOTOP®
  • Praegune - koguja piiramine (max)
    50µA
  • Praegune - koguja (Ic) (maksimaalne)
    220A
  • Konfiguratsioon
    Single
APT150GN120JDQ4

APT150GN120JDQ4

Kirjeldus: IGBT 1200V 215A 625W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT15D120BG

APT15D120BG

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO247

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
APT150GN120J

APT150GN120J

Kirjeldus: IGBT 1200V 215A 625W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT150GT120JR

APT150GT120JR

Kirjeldus: IGBT 1200V 170A 830W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT150GN60B2G

APT150GN60B2G

Kirjeldus: IGBT 600V 220A 536W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT15D100BCTG

APT15D100BCTG

Kirjeldus: DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT14M120B

APT14M120B

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1200V 14A TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT15D120BCTG

APT15D120BCTG

Kirjeldus: DIODE ARRAY GP 1200V 15A TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT14M100B

APT14M100B

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT14F100S

APT14F100S

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK

Tootjad: Microsemi
Laos
APT15D100BG

APT15D100BG

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 15A TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT15D120KG

APT15D120KG

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO220

Tootjad: Microsemi
Laos
APT14F100B

APT14F100B

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT15D30KG

APT15D30KG

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 300V 15A TO220-2

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
APT150GN60J

APT150GN60J

Kirjeldus: IGBT 600V 220A 536W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT15D100KG

APT15D100KG

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 15A TO220

Tootjad: Microsemi
Laos
APT15D100BHBG

APT15D100BHBG

Kirjeldus: DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT14M100S

APT14M100S

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK

Tootjad: Microsemi
Laos
APT150GN60LDQ4G

APT150GN60LDQ4G

Kirjeldus: IGBT 600V 220A 536W TO-264L

Tootjad: Microsemi
Laos
APT14050JVFR

APT14050JVFR

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1400V 23A SOT-227

Tootjad: Microsemi
Laos

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi