Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > APT26M100JCU3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5645460APT26M100JCU3 piltMicrosemi

APT26M100JCU3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
100+
$32.314
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    APT26M100JCU3
  • Tootja / bränd
    Microsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    APT26M100JCU3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 2.5mA
  • Vgs (max)
    ±30V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    SOT-227
  • Seeria
    POWER MOS 8™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    396 mOhm @ 18A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    543W (Tc)
  • Pakend
    Bulk
  • Pakett / kott
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Töötemperatuur
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Chassis Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    32 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    7868pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    305nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    1000V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 1000V 26A (Tc) 543W (Tc) Chassis Mount SOT-227
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    26A (Tc)

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "APT26M100JCU3" seotud tooted.
APT28F60B

APT28F60B

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 28A TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT29F80J

APT29F80J

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 31A SOT-227

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT27GA90BD15

APT27GA90BD15

Kirjeldus: IGBT 900V 48A 223W TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT29F100B2

APT29F100B2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 30A T-MAX

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT27HZTR-G1

APT27HZTR-G1

Kirjeldus: TRANS NPN 450V 0.8A TO92

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
APT25SM120S

APT25SM120S

Kirjeldus: POWER MOSFET - SIC

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT25M100J

APT25M100J

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT25GR120SD15

APT25GR120SD15

Kirjeldus: IGBT 1200V 75A 521W D3PAK

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT29F100L

APT29F100L

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 30A TO264

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT26M100JCU2

APT26M100JCU2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT26F120L

APT26F120L

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1200V 27A TO-264

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT26F120B2

APT26F120B2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1200V 27A T-MAX

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT27ZTR-G1

APT27ZTR-G1

Kirjeldus: TRANS NPN 450V 0.8A TO92

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
APT25GT120BRDQ2G

APT25GT120BRDQ2G

Kirjeldus: IGBT 1200V 54A 347W TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT25GT120BRG

APT25GT120BRG

Kirjeldus: IGBT 1200V 54A 347W TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT25GR120SSCD10

APT25GR120SSCD10

Kirjeldus: IGBT 1200V 75A 521W D3PAK

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT28M120L

APT28M120L

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1200V 29A TO264

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT28F60S

APT28F60S

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 30A D3PAK

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT28M120B2

APT28M120B2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1200V 29A T-MAX

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT25SM120B

APT25SM120B

Kirjeldus: POWER MOSFET - SIC

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.