Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > APT30N60BC6
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1114252APT30N60BC6 piltMicrosemi

APT30N60BC6

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$7.51
30+
$6.156
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    APT30N60BC6
  • Tootja / bränd
    Microsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 600V 30A TO-247
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    APT30N60BC6.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3.5V @ 960µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-247 [B]
  • Seeria
    CoolMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    125 mOhm @ 14.5A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    219W (Tc)
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-247-3
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    2267pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    88nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    600V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 600V 30A (Tc) 219W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    30A (Tc)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "APT30N60BC6" seotud tooted.
APT30M40B2VFRG

APT30M40B2VFRG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 300V 76A T-MAX

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT30S20SG

APT30S20SG

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 200V 45A D3

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
RFQ
APT30M70SVRG

APT30M70SVRG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 300V 48A D3PAK

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT30N60KC6

APT30N60KC6

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 30A TO-220

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT30M40JVFR

APT30M40JVFR

Kirjeldus: MOSFET N-CH 300V 70A SOT-227

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT30M85SVFRG

APT30M85SVFRG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 300V 40A D3PAK

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT30M85BVRG

APT30M85BVRG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 300V 40A TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT30M40JVR

APT30M40JVR

Kirjeldus: MOSFET N-CH 300V 70A SOT-227

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT30S20BCTG

APT30S20BCTG

Kirjeldus: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT31M100L

APT31M100L

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 32A TO264

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT30M85BVFRG

APT30M85BVFRG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 300V 40A TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT30SCD65B

APT30SCD65B

Kirjeldus: DIODE SIC 650V 46A TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT30S20BG

APT30S20BG

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 200V 45A TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT30N60SC6

APT30N60SC6

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 30A D3PAK

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT31M100B2

APT31M100B2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 32A T-MAX

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT30M70BVRG

APT30M70BVRG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 300V 48A TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT30M60J

APT30M60J

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 31A SOT-227

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT30SCD120B

APT30SCD120B

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 99A

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT30SCD120S

APT30SCD120S

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 99A D3PAK

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT30M70BVFRG

APT30M70BVFRG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 300V 48A TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.