Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > APT34M120J
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
4338082APT34M120J piltMicrosemi

APT34M120J

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$55.31
10+
$52.061
30+
$48.807
100+
$46.529
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    APT34M120J
  • Tootja / bränd
    Microsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 1200V 34A SOT-227
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    1.APT34M120J.pdf
    2.APT34M120J.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 2.5mA
  • Vgs (max)
    ±30V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    SOT-227
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    300 mOhm @ 25A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    960W (Tc)
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Muud nimed
    APT34M120JMI
    APT34M120JMI-ND
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Chassis Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    17 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    18200pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    560nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    1200V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 1200V 35A (Tc) 960W (Tc) Chassis Mount SOT-227
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    35A (Tc)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "APT34M120J" seotud tooted.
APT34M60B

APT34M60B

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 36A TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT35GP120BG

APT35GP120BG

Kirjeldus: IGBT 1200V 96A 543W TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT33N90JCU3

APT33N90JCU3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 33A SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT34F60BG

APT34F60BG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 34A TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT35GP120B2DQ2G

APT35GP120B2DQ2G

Kirjeldus: IGBT 1200V 96A 543W TMAX

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT34F100B2

APT34F100B2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 35A T-MAX

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT35GN120BG

APT35GN120BG

Kirjeldus: IGBT 1200V 94A 379W TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT34F60B

APT34F60B

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 34A TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT34F100L

APT34F100L

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 35A TO264

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT33GF120BRG

APT33GF120BRG

Kirjeldus: IGBT 1200V 52A 297W TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT33N90JCU2

APT33N90JCU2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 33A SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT33N90JCCU3

APT33N90JCCU3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 33A SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT35GA90B

APT35GA90B

Kirjeldus: IGBT 900V 63A 290W TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT33N90JCCU2

APT33N90JCCU2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 33A SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT35DL120HJ

APT35DL120HJ

Kirjeldus: DIODE MODULE 1.2KV SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT35GN120L2DQ2G

APT35GN120L2DQ2G

Kirjeldus: IGBT 1200V 94A 379W TO264

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT34N80B2C3G

APT34N80B2C3G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT33GF120LRDQ2G

APT33GF120LRDQ2G

Kirjeldus: IGBT 1200V 64A 357W TO264

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT34N80LC3G

APT34N80LC3G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 34A TO-264

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT35GA90BD15

APT35GA90BD15

Kirjeldus: IGBT 900V 63A 290W TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.