Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > APT80F60J
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
242445APT80F60J piltMicrosemi

APT80F60J

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
10+
$59.60
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    APT80F60J
  • Tootja / bränd
    Microsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    APT80F60J.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 2.5mA
  • Vgs (max)
    ±30V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    ISOTOP®
  • Seeria
    POWER MOS 8™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    55 mOhm @ 60A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    961W (Tc)
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Chassis Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    6 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    23994pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    598nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    600V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 600V 84A (Tc) 961W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    84A (Tc)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "APT80F60J" seotud tooted.
APT8024LLLG

APT8024LLLG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 31A TO-264

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT8020LFLLG

APT8020LFLLG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 38A TO-264

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
RFQ
APT8018JN

APT8018JN

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 40A ISOTOP

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT80SM120B

APT80SM120B

Kirjeldus: POWER MOSFET - SIC

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT80GA60LD40

APT80GA60LD40

Kirjeldus: IGBT 600V 143A 625W TO264

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT80GA90B

APT80GA90B

Kirjeldus: IGBT 900V 145A 625W TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT8014JLL

APT8014JLL

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 42A SOT-227

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT8024JLL

APT8024JLL

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT8020JLL

APT8020JLL

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 33A SOT-227

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT80GA90LD40

APT80GA90LD40

Kirjeldus: IGBT 900V 145A 625W TO-264

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT80SM120S

APT80SM120S

Kirjeldus: POWER MOSFET - SIC

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT80GP60J

APT80GP60J

Kirjeldus: IGBT 600V 151A 462W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT8020B2LLG

APT8020B2LLG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 38A T-MAX

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT80GA60B

APT80GA60B

Kirjeldus: IGBT 600V 143A 625W TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT8024LFLLG

APT8024LFLLG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 31A TO-264

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
RFQ
APT84F50B2

APT84F50B2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 84A TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT80M60J

APT80M60J

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT80SM120J

APT80SM120J

Kirjeldus: POWER MOSFET - SIC

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT8075BN

APT8075BN

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 13A TO247AD

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT8024B2LLG

APT8024B2LLG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 31A T-MAX

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.