Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > APTC80DA15T1G
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
4963033

APTC80DA15T1G

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    APTC80DA15T1G
  • Tootja / bränd
    Microsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 800V 28A SP1
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    1.APTC80DA15T1G.pdf
    2.APTC80DA15T1G.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3.9V @ 2mA
  • Vgs (max)
    ±30V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    SP1
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    150 mOhm @ 14A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    277W (Tc)
  • Pakend
    Bulk
  • Pakett / kott
    SP1
  • Töötemperatuur
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Chassis Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    4507pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    180nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    800V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 800V 28A (Tc) 277W (Tc) Chassis Mount SP1
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    28A (Tc)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "APTC80DA15T1G" seotud tooted.
APTC80H29SCTG

APTC80H29SCTG

Kirjeldus: MOSFET 4N-CH 800V 15A SP4

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTC60TAM24TPG

APTC60TAM24TPG

Kirjeldus: MOSFET 6N-CH 600V 95A SP6-P

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTC80DSK15T3G

APTC80DSK15T3G

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 800V 28A SP3

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTC60VDAM24T3G

APTC60VDAM24T3G

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTC60VDAM45T1G

APTC60VDAM45T1G

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTC80H29T1G

APTC80H29T1G

Kirjeldus: MOSFET 4N-CH 800V 15A SP1

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTC80AM75SCG

APTC80AM75SCG

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 800V 56A SP6

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTC60TAM21SCTPAG

APTC60TAM21SCTPAG

Kirjeldus: MOSFET 6N-CH 600V 116A SP6-P

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTC80DSK29T3G

APTC80DSK29T3G

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 800V 15A SP3

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTC80DDA29T3G

APTC80DDA29T3G

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 800V 15A SP3

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTC80A15T1G

APTC80A15T1G

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 800V 28A SP1

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTC80A10SCTG

APTC80A10SCTG

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 800V 42A SP4

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTC80DDA15T3G

APTC80DDA15T3G

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 800V 28A SP3

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTC60TDUM35PG

APTC60TDUM35PG

Kirjeldus: MOSFET 6N-CH 600V 72A SP6-P

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTC80A15SCTG

APTC80A15SCTG

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 800V 28A SP4

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTC80H15T3G

APTC80H15T3G

Kirjeldus: MOSFET 4N-CH 800V 28A SP3

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTC80H29T3G

APTC80H29T3G

Kirjeldus: MOSFET 4N-CH 800V 15A SP3

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTC60TAM35PG

APTC60TAM35PG

Kirjeldus: MOSFET 6N-CH 600V 72A SP6-P

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTC80SK15T1G

APTC80SK15T1G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 28A SP1

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTC80H15T1G

APTC80H15T1G

Kirjeldus: MOSFET 4N-CH 800V 28A SP1

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.